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二极管 / 晶体管型号

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特性:低功率损耗。 低开关浪涌和噪声。 高可靠性,高耐用性(RBSOA、SCSOA等)。应用:不间断电源。 功率调节器

FUJI(富士电机)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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本款IGBT管/模块具备100A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces),可适用于较高功率的电力电子系统。其集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.45V,有助于减小导通损耗,提升整体能效。内置二极管支持100A正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.55V,具备较强的续流能力与稳定性。该器件适合用于各类高效功率转换设备中的开关控制与能量调节应用,参数设计兼顾性能与可靠性需求。

HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:针对20-60kHz开关进行了优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 反并联超快二极管。 雪崩能力。 短路能力。 国际标准封装。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)

Littelfuse/IXYSTO-247AD
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:扩展工作温度 TVJop。 低开关损耗。 低 VCEsat。 TVJop = 150°C。 VCEsat 具有正温度系数。应用:高功率转换器。 电机驱动器

Infineon(英飞凌)螺栓安装
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT模块

Infineon(英飞凌)插件,62.8x56.7mm
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:低 VcEsat。 Trench IGBT 4。 Tvop = 150°C。 VcEsat 具有正温度系数。 Al2O3 基板,低热阻。 高功率和热循环能力。应用:辅助逆变器。 电机驱动器

Infineon(英飞凌)插件,107.5x45mm
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:低VCEsat-沟槽式IGBT 4。 T_Vjop = 150°C。 VCEsat具有正温度系数。 Al2O3基板,热阻低。 高功率和热循环能力。 集成NTC温度传感器。应用:辅助逆变器。 电机驱动

Infineon(英飞凌)插件,107.5x45mm
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)插件,107.5x45mm
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)插件,122x62mm
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:电气特性: -集电极-发射极电压(VCES):1200V。 -连续直流集电极电流(ICDC):75A(Tvjmax = 175°C,TC = 100°C)。 -重复峰值集电极电流(ICRM):150A。 -低集电极-发射极饱和电压(VCE sat)。 可过载运行至175°C。 机械特性: -高功率和热循环能力。应用:辅助逆变器。 电机驱动器

Infineon(英飞凌)插件,122x62mm
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:低VCEsat(Tvip = 150°C)。应用:电机驱动。 伺服驱动器

Infineon(英飞凌)螺栓安装
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)插件,122x62mm
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)SMD,107.5x45mm
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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62mm C系列模块,带有用于高频开关的快速IGBT2

Infineon(英飞凌)螺栓安装
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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集射极击穿电压:650V 集电极电流:15A 耗散功率:41W

minos(迈诺斯)TO-220F
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:650V 沟槽栅场终止技术。 低导通和开关损耗。 饱和电压正温度系数。 具备 5μs 短路承受能力。应用:工业缝纫机

JUXING(钜兴)ITO-220AB
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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NCE(无锡新洁能)TO-220F
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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SILAN(士兰微)TO-3P-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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