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KEC场截止型沟槽绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有低开关损耗、高能效和短路耐受能力强的特点。它专为电机控制、不间断电源(UPS)、通用逆变器等应用而设计。

这款高压、超快速绝缘栅双极晶体管(IGBT)在低传导损耗和快速开关性能之间实现了出色的平衡。它采用 PowerMESHTM 技术设计,并结合了高压超快二极管。

汽车级 390 V 内部钳位 IGBT ESCIS 180 mJ

特性:提供1350V的高击穿电压,提高可靠性。 强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换流设计。 TRENCHSTOPTM技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性,温度稳定性能。 -低Vce(sat)。 -由于Vce(sat)具有正温度系数,易于并联开关。应用:感应烹饪。 逆变微波炉

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IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=600V,集电极电流Ic=75A

采用先进的沟槽场截止(T-FS)技术,具有低VCE(sat)、优化的开关性能和低栅极电荷Qg。适用于光伏、UPS、升压和高开关频率应用。

使用专有沟槽设计和先进的 FS(场截止)第二代技术,600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能,且易于并联操作。

HX40N120-TO247采用沟槽和场截止技术的IGBT,配备软恢复快速反向并联二极管

应用于电机驱动、太阳能逆变器、谐振转换器等等。

汽车级400 V内部钳制IGBT ESCIS 320 mJ

特性:强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换流设计。 TRENCHSTOPTM 技术提供: 非常紧密的参数分布。 高耐用性,温度稳定性能。 低 VCEsat。 由于 VCEsat 具有正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰。应用:感应烹饪。 微波炉

特性:VCE = 650 V。 IC = 60 A。 引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。 引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。 针对PFC和焊接应用优化的单片二极管。 稳定的温度特性。应用:PFC。 焊接

低损耗 DuoPack:采用第二代 TrenchStop 技术的 IGBT,具有软、快速恢复反并联发射极控制二极管。

高速DuoPack封装:采用沟槽和场截止技术的IGBT,配备软恢复、快速恢复的反并联二极管,属于1200V高速开关系列第三代产品

这款绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 采用坚固且经济高效的场截止 II 型沟槽结构,在苛刻的开关应用中提供卓越性能,兼具低导通态电压和最小开关损耗。该 IGBT 非常适合用于 UPS 和太阳能应用。器件中集成了一个具有低正向电压的软恢复快速共封装续流二极管。

安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

特性:标准:针对最小饱和电压和低工作频率(< 1kHz)进行优化。 第四代 IGBT 设计,提供更严格的参数分布和更高的效率。 行业标准 TO-247AC 封装。 无铅。 通过汽车认证

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IGBT 100A 1200V TO-247PLUS封装 高压晶体管 大电流