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IGBT 650V 75A TO-247

该IGBT模块具备140A的集电极电流(Ic)与1200V的集射极击穿电压(Vces),适合高功率密度场景的应用需求。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.55V,有效降低导通状态下的能量损耗,提升整体能效表现。内部集成二极管可支持140A正向电流(IF),正向压降(Vf)为2.01V,具有良好的热稳定性和快速恢复能力。模块设计兼顾可靠性和兼容性,适用于多种高效电力转换设备的构建与优化。

特性:硬开关和谐振拓扑结构下的高效率。 由于VCEsat正温度系数,易于并联。 低电磁干扰。 低栅极电荷Qg。 非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。 最高结温175°C。应用:工业不间断电源。 充电器

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该IGBT模块具备140A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces),可稳定工作于较高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.55V,有助于降低导通损耗。内部续流二极管支持140A正向电流(IF),正向压降(Vf)为2.01V,表现出良好的反向恢复特性。该模块适用于需要高效能开关与耐高压能力的电力电子系统,如电源变换器、储能设备及智能电网相关装置中。

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特性:AC开关。高速开关。电压驱动。低电感模块结构。应用:UPS、PCS等的AC开关

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特性:扩展工作温度 T(Vop)。 低开关损耗。 Trench IGBT 4。 T(Vop) = 150°C。 高功率和热循环能力。 集成 NTC 温度传感器。应用:电机驱动。 伺服驱动器

特性:针对低开关损耗进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 国际标准封装。 Vce(sat)具有正温度系数。 雪崩额定。 高电流处理能力。应用:高频功率逆变器。 不间断电源(UPS)

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特性:低开关损耗。 具有正温度系数的低VCE(sat)。 包含快速软恢复反并联FWD。 低电感外壳。 高短路能力(10μs)。 最高结温175°C。应用:电机驱动器。 交流和直流伺服驱动放大器

IGBT模块

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特性:低开关损耗。 Trench IGBT 4。 VcEsat 具有正温度系数。 低 VcEsat。 Al2O3 基板,热阻低。 紧凑设计。应用:空调。 电机驱动

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特性:硅芯片采用直接铜键合(DCB)基板。 隔离安装表面。 4000V~电气隔离。 高阻断电压。 高峰值电流能力。 低饱和电压。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源(UPS)

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