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特性:低VCE(sat)。 紧凑型封装。 印刷电路板安装模块。 转换器二极管桥。 动态制动电路。 符合RoHS标准的产品。应用:电机驱动逆变器。 交直流伺服驱动放大器

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特性:低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))。 紧凑型封装。 印刷电路板安装模块。 转换器二极管桥。 动态制动电路。 符合RoHS标准。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动器

IGBT模块

650 V、4 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

特性:TRENCHSTOP反向导通 (RC) 技术,适用于600V应用。优化Eon、Eoff和Qrr,实现低开关损耗。工作范围为4至30kHz。平滑开关性能,可降低EMI水平。非常紧密的参数分布。最高结温175°C。应用:家用和工业驱动器。压缩机

特性:极低的VCE(sat):1.5V(典型值)。最高结温:175°C。短路耐受时间:tSC。TRENCHSTOPTM技术用于600V应用,提供:非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性能。NPT技术由于VCE(sat)的正温度系数,提供易于并联开关的能力。应用:洗衣机、风扇、泵和真空吸尘器的变频器

特性:低栅极电荷。 沟槽FS技术。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 1.6V,IC = 20A 且 TC = 25°C。 符合RoHS标准的产品。应用:通用逆变器。 不间断电源(UPS)

集电极-发射极电压:650V,集电极电流:12A,耗散功率:96.2W,广泛应用于光伏逆变器、储能、UPS、电焊机等。

此IGBT采用先进的场截止沟槽IGBT技术生产,具有高开关速度和卓越品质。

采用专有的沟槽设计和先进的FS(场截止)第二代技术,600V沟槽FS II IGBT具有出色的导通和开关性能,且易于并联操作。

特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。 低QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175°C。应用:太阳能转换器。 不间断电源

IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=600V,集电极电流Ic=80A

MLG50T65FUK采用先进的沟槽场截止(T-FS)技术制造,具有低VCE(sat)、优化的开关性能和低栅极电荷Qg等特点。该IGBT适用于焊接、UPS以及高开关频率应用。

MLG40N65FUK采用先进的沟槽场截止(T-FS)技术制造,具有低VCE(sat)、优化的开关性能和低栅极电荷Qg等特性。该IGBT适用于焊接、UPS及高开关频率应用。

汽车级390 V内部钳制IGBT ESCIS 180 mJ

高速双封装:采用沟槽和场截止技术的 IGBT,配备软恢复、快速恢复的反并联二极管。

这款 PowerMESHTM IGBT 采用基于专利条形布局的最新高压技术设计。全新的寿命控制技术可实现良好的开关性能和低电压降

MLG50N65FUK采用先进的沟槽场截止(T-FS)技术制造,具有低VCE(sat)、优化的开关性能和低栅极电荷Qg等特点。该IGBT适用于焊接、UPS及高开关频率应用。

IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=75A