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该IGBT管/模块具备集电极电流(Ic)50A与集射极击穿电压(Vces)650V的电气特性,适用于中高功率的电子系统设计。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V,在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管支持正向电流(IF)50A,正向压降(Vf)低至1.45V,具备良好的续流性能和热稳定性。该器件适合应用于电源转换、电机控制及其他对效率与可靠性有较高要求的电路场景。

特性:强大的单片二极管,针对零电流开关 (ZCS) 应用进行了优化。 TRENCHSTOPTM 5 技术应用提供: -高耐用性,温度稳定性能。 -极低的集电极-发射极饱和电压 (VCEsat) 和低最大值 (Emax)。 -由于 VCEsat 具有正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰 (EMI)。 电气参数对温度的依赖性低。应用:焊接。 功率因数校正 (PFC)

IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=600V,集电极电流Ic=120A

采用专有沟槽设计和先进的 FS(场截止)第二代技术,提供卓越的导通和开关性能,且易于并联操作。

高速DuoPack:采用沟槽和场截止技术的IGBT,具有软恢复、快速恢复的反并联二极管

本IGBT管/模块具备40A集电极电流(Ic)和1200V集射极击穿电压(Vces),适用于高耐压、大功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V,在保证性能的同时降低了导通损耗。内置二极管支持40A正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.85V,具备良好的热稳定性与可靠性。该模块设计紧凑,效率高,适合用于对功率密度和转换效率有较高要求的电力电子系统中。

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非穿通 (NPT) IGBT 设计,是 MOS 门控高压开关 IGBT 系列的新成员。IGBT 结合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性,具有 MOSFET 的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。适用于许多需要低传导损耗的中高频高压开关应用。

特性:强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换流设计。TRENCHSTOPTM技术,具有以下特点:非常紧密的参数分布。高鲁棒性,温度稳定性能。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数,易于并联开关。低电磁干扰。应用:感应烹饪。逆变微波炉

本产品为IGBT管/模块,具备集电极电流(Ic)40A、集射极击穿电压(Vces)1200V的高耐压与大电流能力,适合需要高效能功率转换的应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V,有效降低导通损耗,提高系统效率。内置二极管的正向电流(IF)可达40A,正向压降(Vf)为1.85V,支持快速恢复特性。该器件适用于电源变换器、智能电网设备、新能源控制系统等领域,提供稳定可靠的功率控制性能。

特性:第6.5代。 RC-IGBT由一个在IGBT芯片中单片集成的续流二极管组成。 增强模式。 高速开关 IGBT:tf = 0.20 μs(典型值)(IC = 40 A) FWD:trr = 0.60 μs(典型值)(IF = 15 A)。 低饱和电压:VCE(sat) = 1.9V(典型值)(IC = 40A)。 高结温:TJ = 175°C(最大值)。应用:专用于电压谐振逆变器开关应用

特性:TRENCHSTOPTM技术提供极低的VCEsat。低关断损耗。短尾电流。低电磁干扰。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175°C。应用:驱动器。太阳能逆变器

特性:高速S5技术。 用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。 极低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat):在标称电流下为1.35V。 650V击穿电压。 低栅极电荷(Qg)。 IGBT与全额定电流的RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用:能源发电。 太阳能串式逆变器

采用新型场截止沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术,新款场截止沟槽 IGBT 系列为汽车充电器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和数字发电机提供了最佳性能,这些应用对低导通损耗和开关损耗有严格要求。

该IGBT模块具备50A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces),可稳定工作于较高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.9V,有助于降低导通损耗。内置二极管可支持50A的正向电流(IF),正向压降(Vf)为2.7V,提升了整体能效表现。该模块适用于需要高效能量转换与稳定性能的电力电子系统,如智能电网、新能源发电以及高性能电源设备等领域。

特性:优化低开关损耗。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 Vce(sat)正温度系数。 反并联超快二极管。 高电流处理能力。 国际标准封装。应用:高频功率逆变器。 UPS

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特性:低VCE(on)平面IGBT技术。 低开关损耗。 方形RBSOA。 100%的部件经过ILM测试。 正VCE(on)温度系数。 符合JDS1022-A113回流焊要求。应用:PTC加热器继电器替换

MSG25D350HLC0 3500V 25A 超高压IGBT单管 TO-247,低饱和压降,兼顾FS技术的高速开关与10μs短路耐受优势。适用于高压PFC、UPS及特种逆变器。

此款隔离门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 IV 沟槽结构,为要求苛刻的开关应用提供卓越性能,提供低导通状态电压,并最大限度降低开关损耗。另外,此新器件采用 TO?247?4L 封装,与标准 TO?247?3L 封装相比提供了明显的 Eon 损耗降低。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。此器件集成了一个柔软、快速的组合封装续流二极管,采用低正向电压。