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特性:集电极-发射极阻断电压能力:750V。 适用于470V直流系统,为400V直流系统增加过电压裕量。 极低的集电极-发射极饱和电压:在集电极额定电流为120A、温度为25°C时为1.30V。应用:电动汽车牵引逆变器

FGY140T120SWD采用新型场截止第七代IGBT技术和Gen7二极管,采用TO247三引脚封装,具备低开关损耗和低传导损耗的卓越性能,可在太阳能、UPS和ESS等各种应用中实现高效运行。

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MSG100D170JLB3 1700V 100A 高压大电流IGBT 大功率,低饱和压降,高耐流。适工业逆变、焊机、储能,高压PFC、UPS等

特性:针对低开关损耗进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 隔离电压2500V~。 Vce(sat)具有正温度系数。 雪崩额定。 高电流处理能力。应用:高频功率逆变器。 不间断电源(UPS)

特性:低VCE(sat)。 紧凑型封装。 印刷电路板安装模块。 转换器二极管桥。 动态制动电路。 符合RoHS标准的产品。应用:电机驱动逆变器。 交直流伺服驱动器放大器

特性:低 VcEsat。TrenchstopTM IGBT7。过载运行可达 175°C。2.5 kV AC 1min 绝缘。Al2O3 基板,低热阻。高功率密度。应用:辅助逆变器。空调

特性:优化低导通和开关损耗。隔离电压2500V~。短路能力。国际标准封装。高电流处理能力。高功率密度。应用:功率逆变器。UPS

特性:低VCE(sat)。 紧凑型封装。 P.C. 板安装模块。 转换器二极管桥。 动态制动电路。 RoHS合规产品。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器

特性:AC开关。 高速开关。 电压驱动。 低电感模块结构。应用:UPS、PCS等的AC开关

IGBT模块

特性:高短路能力,自限短路电流。 低开关损耗。 高可靠性。 VCESat具有正温度系数。 封装CTI > 400。 高爬电距离和电气间隙。应用:高频开关应用。 医疗应用

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特性:低VCE(sat)。 高速开关。 低电感。 模块结构。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动器

特性:采用沟槽技术实现低Vce(sat)。 低开关损耗,特别是Eoff。 Vce(sat)具有正温度系数。 高短路能力(10us)。 包含超快速软恢复反并联FWD。 低电感封装。应用:运动/伺服控制。 高频开关应用

特性:集成温度传感器。 TrenchstopTM IGBT7。 VcEsat 具有正温度系数。 高功率密度。 绝缘底板。 PressFIT 连接技术。应用:高功率转换器。 商用农业车辆

MOS管,TO-252,N场,耐压:650V,电流:5A,功率:65W,CissTyp:260PF

采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS(场截止)技术,600V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能,且易于并联运行。

特性:低栅极电荷。 沟槽场截止技术,饱和电压:Vce(sat),典型值 = 1.6V(Ic = 20A,Tc = 25°C)。 符合RoHS标准的产品。应用:通用逆变器。 UPS

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