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特性:极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat):1.5V(典型值)。 最高结温:175°C。 短路耐受时间:5μs。 TRENCHSTOPTM和场截止技术,适用于600V应用,提供:非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性能。非常高的开关速度。 低电磁干扰(EMI)。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准

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沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、20 A,低损耗

沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、30 A,低损耗

MLG40T65FUK采用先进的沟槽场截止(T-FS)技术制造,具有低VCE(sat)、优化的开关性能和低栅极电荷Qg等特点。该IGBT适用于焊接、UPS及高开关频率应用。

MLG60N65FUK采用先进的沟槽场截止(T-FS)技术制造,具有低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))、优化的开关性能和低栅极电荷Qg等特性。该绝缘栅双极晶体管(IGBT)是光伏、不间断电源(UPS)、升压及高开关频率应用的理想器件。

特性:第四代。 增强模式。 高速开关:U = 0.20 μs(典型值)(IC = 50 A)。 低饱和电压:VCE(sat) = 1.7V(典型值)(IC = 50 A)。应用:专用电流谐振逆变器开关应用。 专用部分开关功率因数校正(PFC)应用

特性:无铅引脚端子。 符合RoHS标准的无卤模塑料。应用:不间断电源。 光伏功率调节器

IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=40A

ISL9V3040D3ST-F085C 和 ISL9V3040S3ST-F085C 为在节省空间的 D-Pak (TO-252)、以及行业标准 D2-Pak (TO-263) 塑料封装中提供卓越的 SCIS 能力。此器件适用于汽车点火电路,尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位,而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息,请联系最近的安森美半导体销售办公室。之前开发类型为 49362。

MOS管,TO-247,N场,耐压:650V,电流:75A,CissTyp:5000PF

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是一款沟槽场截止绝缘栅双极晶体管,采用先进技术,具备高开关速度、低饱和电压和低开关损耗等特点,适用于谐振或软开关应用。

该IGBT模块具备30A的集电极电流(Ic)和1350V的集射极击穿电压(Vces),可稳定工作于较高电压与电流环境,适用于对功率控制要求较高的场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V,能在导通状态下保持较低损耗。内置二极管的正向电流(IF)为30A,正向压降(Vf)为1.85V,具备良好的反向恢复特性。模块采用高可靠性封装,具备较好的热稳定性与绝缘性能,适合应用于能源转换、精密电源管理及相关配套设备中。

采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术,仙童半导体(Fairchild)全新的第三代场截止 IGBT 系列产品,可为浪涌电流限制、照明和家电应用提供最佳性能。

600 V、20 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

采用基于专利条形布局的最新高压技术,推出了一系列性能卓越的先进 IGBT 产品——PowerMESHTM IGBT。后缀 “V” 表示该系列产品针对高频应用进行了优化。

650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

本产品为IGBT管/模块,具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces),适用于高电压和高电流的工作环境。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.9V,有效降低导通损耗,提升系统效率。内置二极管的正向电流(IF)为40A,正向压降(Vf)为2.5V,具备良好的反向恢复特性。该器件适用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统,能够稳定运行于复杂电气环境中,为多种高性能电源应用提供可靠支持。

特性:VCE = 1200 V。 IC = 40 A。 最高结温 Tvjmax = 175°C。 同类最佳的高速IGBT,与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。 低饱和电压:在Tvj = 25°C时,VCEsat = 1.7 V。 针对高速硬开关拓扑(2-L逆变器、3-L NPC T型等)的高效率进行了优化。应用:工业UPS。 电动汽车充电