海量元器件型号，
快速搜索匹配。

特性:SCIS能量:在Tj = 25°C时为500mJ。 逻辑电平栅极驱动。 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件。 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准。应用:汽车点火线圈驱动电路。 大电流点火系统

特性:VCE = 650V。 IC = 75A。 极低的 VCE,sat。 低关断损耗。 短尾电流。 降低电磁干扰 (EMI)。应用:伺服驱动器。 通用驱动器 (GPD)

安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

特性:高速H3技术提供:硬开关和谐振拓扑中的高效率。在Tv = 175°C时具有10μs的短路耐受时间。由于VcEsat中的正温度系数,易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用:工业UPS。充电器

公开页面暂无产品说明。

特性:低侧IGBT为独立发射极类型。短路保护。温度传感器输出功能。过热保护。欠压保护。故障信号输出功能。应用:AC 100~240V三相逆变器驱动,用于小功率交流电机驱动(如空调压缩机电机驱动、热泵应用压缩机电机驱动、风扇电机驱动、通风机电机驱动)

N沟道 650V 150A 1.4mΩ@10v 功率(Pd)621W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA

特性:VCE = 650 V。 IC = 100 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业不间断电源。 电动汽车充电

特性:VCE = 1200 V。 IC = 140 A。 最大结温 Tvjmax = 175°C。 同类最佳的高速 IGBT 与全额定电流、低 Qrr 和软换相高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V(Tvj = 25°C 时)。 针对高速硬开关拓扑(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)的高效率进行了优化。应用:工业 UPS。 EV 充电

EasyPIMTM 模块 采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和第四代发射极控制二极管 带有温度检测NTC

特性:高电压封装。 高阻断电压。 反并联二极管。 低传导损耗。 低栅极驱动要求。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源(UPS)

特性:针对10-30kHz开关进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 国际标准封装。 雪崩额定。 短路能力。 高电流处理能力。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)

IGBT 1200V 75A SOT-227 模块

公开页面暂无产品说明。

特性:扩展工作温度 T_CH。 低 V_CEsat。 极高的稳健性。 V_CEsat 具有正温度系数。应用:高功率转换器。 电机驱动器

特性:低VCEsat-TrenchstopTM IGBT7。 过载运行温度高达175°C。 2.5 kV AC 1min绝缘。 Al2O3基板,热阻低。 高功率密度。 紧凑设计。应用:辅助逆变器。 空调

特性:采用沟槽技术实现低VCE(sat)。 VCE(sat)具有正温度系数。 高短路能力(10μs)。 包含超快速软恢复反并联FWD。 低电感。 最高结温175°C。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器

公开页面暂无产品说明。

特性:电气特性: -VCES = 1200V。ICnom = 75A / ICRM = 150A。TRENCHSTOP IGBT7。低VCEsat。过载运行温度可达175°C。 机械特性: -高功率和热循环能力。应用:辅助逆变器。 电机驱动器

公开页面暂无产品说明。