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IGBT,TO-220F,,耐压:650V,电流:10A,CissTyp:1400PF

特性:高耐用性,适用于电机控制。 VCE(sat)正温度系数。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 低电磁干扰。 最高结温175°C。应用:电机控制逆变器

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IGBT,TO-220F,耐压:650V,电流:20A,功率:37W,CissTyp:1500PF

集电极-发射极电压:600V,集电极电流:16A,耗散功率:104W,广泛应用于光伏逆变器、储能、UPS、电焊机等。

特性:高速F5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷Q_G。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175°C。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用:太阳能转换器。 不间断电源

650 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

提供低开关损耗、高能效和短路耐用性,适用于电机控制、不间断电源 (UPS)、通用逆变器等应用。

特性:低栅极电荷。 FS技术。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 2.2V,IC = 15A,TC = 25°C。 符合RoHS标准的产品。应用:通用逆变器。 感应加热(IH)

特性:提供高达650V的高击穿电压。 低VCEsat。 由于VCEsat的正温度系数,具有易于并联开关的能力。 超快且软的反并联二极管。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层。应用:UPS。 空调

CRG40T60AN3HD和CRG40T60AK3HD采用先进的沟槽FSIGBT技术,具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

场截止第四代中速 IGBT 技术与全额定电流二极管共封装。

600 V、20 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

CRG40T65AK5SD采用先进的微沟槽FS IGBT技术,具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

该IGBT模块的集电极电流(Ic)为50A,集射极击穿电压(Vces)达650V,适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V,在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管的正向电流(IF)同样支持50A,正向压降(Vf)为1.45V,表现出良好的导电性能与热稳定性。模块设计符合标准封装规范,便于安装和散热,适合用于电源转换、电机控制及电力调节等多样化场景,提供稳定高效的功率处理能力。

高品质IGBT 电流25A 耐压1200V 饱和压降:1.95V

特性:极低的VCE(sat):1.5V(典型值)。 最高结温:175°C。 短路耐受时间:5μs。 专为变频器和不间断电源设计。 适用于600V应用的TRENCHSTOPTM和场截止技术,提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性,温度稳定性能。 -非常高的开关速度。 VCE(sat)具有正温度系数。 低电磁干扰。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 非常软、快速恢复的反并联发射极控制HE二极管。 根据JEDEC针对目标应用进行了资格认证

特性:VCE = 650 V。IC = 30 A。极低的VCE,sat。低关断损耗。短尾电流。降低电磁干扰 (EMI)。应用:伺服驱动器。通用驱动器 (GPD)