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本IGBT管/模块具备50A集电极电流(Ic)与650V集射极击穿电压(Vces),满足高耐压与大电流工作需求。导通时集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.6V,显著降低功率损耗。内部集成续流二极管,支持50A正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.85V,提升系统能效。适用于各类高效功率转换装置,如智能电源管理系统、高性能电机控制电路及可再生能源变换设备,提供稳定、可靠的电气性能和良好的热稳定性。

CGWT40N120F2KAD采用了捷捷半导体(JSCJ)的第二代IGBT技术,具备先进的沟槽和场截止(FS)结构,集电极 - 发射极饱和电压极低,易于并联使用。

这款高压、超快速绝缘栅双极晶体管(IGBT)在低传导损耗和快速开关性能之间实现了出色的平衡。它采用 PowerMESHTM 技术设计,并结合了高压超快二极管。

1200 V、40 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

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650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术,仙童半导体公司推出的新一代场截止第二代IGBT系列产品,为需要低导通和开关损耗的太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电焊机和功率因数校正(PFC)应用提供了最佳性能。

该IGBT模块具备50A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces),适用于较高功率场景下的开关控制。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V,能在导通状态下保持较低的能量损耗。内置二极管可支持50A的正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.85V,提升了系统整体效率。该模块结构紧凑、可靠性高,适合用于需要稳定高频开关性能的电力电子设备中。

采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止 650 V、30 A 高速 HB2 系列 IGBT

此款绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 II Trench 结构,为要求苛刻的开关应用提供出色性能,提供低导通状态电压,并最大限度降低开关损耗。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的组合封装续流二极管,带有低正向电压。

600 V、30 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

特性:国际标准封装。 高压封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源

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特性:低栅极电荷。 FS技术。 短路耐受时间10μs。 饱和电压:VCE(sat),典型值为1.7V。应用:通用逆变器。 感应加热(IH)

特性:VCE = 1200 V-IC = 25 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。 低饱和电压 VCE(sat) = 2.0 V(Tvj = 175°C 时)。 针对硬开关拓扑(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)进行了优化。 短路耐受时间 8 μs。 宽范围的 dv/dt 可控性。应用:工业驱动器。 工业电源

特性:VCE = 650 V。 IC = 100 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业不间断电源。 电动汽车充电

HGTG12N60A4D、HGTP12N60A4D和HGT1S12N60A4DS是MOS栅控高压开关器件,结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗

600 V、30 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

特性:高速H5技术。 由于采用开尔文发射极引脚与TRENCHSTOP 5相结合,实现超低损耗开关。 在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。应用:不间断电源。 焊接转换器

特性:VCE(sat)(typ.) = 1.85V @ VGE = 15V, IC = 75A。 高速开关。 更高的系统效率。 软电流关断波形。应用:UPS。 交流和直流电机控制