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特性:最高结温:T1 = 175°C。 正温度系数,便于并联操作。 高电流能力。 低饱和电压:VCE(Sat) = 1.45V(典型值)@ IC = 40 A。 所有部件均经过ILM测试。 平滑优化的开关性能。应用:太阳能逆变器。 UPS

IGBT 650V 75A TO-247-4L

特性:低VCE(sat) L5技术。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 导通和开关损耗之间的同类最佳权衡。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 最高结温175°C。应用:不间断电源。 太阳能光伏逆变器

特性:极低饱和电压:VCE(sat) = 1.65V @ IC = 100A。 最高结温:TJ = 175°C。 正温度系数。 紧密的参数分布。 高输入阻抗。应用:混合动力汽车/电动汽车牵引逆变器。 辅助直流/交流转换器

特性:针对低传导损耗进行优化。方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。国际标准封装。高功率密度。低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。不间断电源(UPS)

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MSG25D170HLC0 低栅荷,1700V高耐压,50A大电流(Tc=25°C),@12A下典型饱和压降仅3.0V。FS技术加持,具备10μs短路耐受能力,适用于PFC电路、UPS及工业逆变器等。

特性:VCE = 650 V。 IC = 150 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业UPS。 EV充电

IGBT 200A 650V TO-247PLUS封装 大电流 国产

特性:国际标准封装:JEDEC TO-268和JEDEC TO-247 AD。 高电流处理能力。 MOS栅极导通。 驱动简单。 坚固的NPT结构。 模塑环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性分类。应用:电容器放电和脉冲电路。 交流电机调速

特性:低开关损耗。 低VCE(sat),具有正温度系数。 包含快速软恢复反并联FWD。 低电感外壳。 高短路能力(10μs)。 使用DBC技术的隔离散热片。应用:电机驱动器。 交流和直流伺服驱动放大器

IGBT模块 功率模块 100A 600V FD7封装

IGBT模块

特性:针对低传导损耗进行优化。 高雪崩能力。 隔离电压3000V。 国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)

特性:低开关损耗。 低 VCE(sat),具有正温度系数。 包含快速软恢复反并联 FWD。 低电感外壳。 高短路能力(10us)。 最高结温 175°C。应用:电机驱动器。 交流和直流伺服驱动放大器

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特性:低VCE(sat)。 紧凑型封装。 印刷电路板安装模块。 转换器二极管桥。 动态制动电路。 符合RoHS标准的产品。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器

1200V/100A/-40~+150°C/EconoPIM3/替代FP100R12KT4

特性:电气特性: -VCES = 1200V。ICnom = 100A / ICRM = 200A。低 VCESat。 可在高达 175°C 下进行过载操作。 采用 TRENCHSTOP IGBT7。 机械特性: -具有低热阻的 Al2O3 基板。应用:伺服驱动器。 辅助逆变器