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特性:低开关损耗。 低 VCE(sat),具有正温度系数。 包含快速软恢复反并联FWD。 低电感外壳。 高短路能力(10μs)。 最高结温175°C。应用:电机驱动器。 交流和直流伺服驱动放大器

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模块采用JSCJ先进的沟槽和场截止(FS)IGBT技术,提供极低的集电极-发射极饱和电压,易于在驱动器和逆变器中使用。

IGBT 650V 15A TO-220

最新的AlphaIGBT(α IGBT)技术。击穿电压650V。续流二极管恢复速度极快且特性柔和

1200V 10A IGBT

特性:极低的VCE(sat):1.5V(典型值)。最大结温:175°C。短路耐受时间:5μs。适用于600V应用的TRENCHSTOPTM和场截止技术提供:非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定特性。非常高的开关速度。应用:洗衣机。逆变器和变速驱动器

特性:高耐用性,适用于电机控制。 VCE(sat)正温度系数。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 低EMI。 最高结温175°C。应用:电机控制逆变器

特性:低栅极电荷。 沟槽场截止技术,饱和电压:Vce(sat),典型值 = 1.6V(Ic = 20A,Tc = 25°C)。 符合RoHS标准的产品。应用:通用逆变器。 UPS

特性:高速F5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175°C。符合JEDEC针对目标应用的标准。应用:太阳能转换器。不间断电源

MSG30T65HHT0,650V/30A IGBT,TO-220,高速开关优化,拥有极低开关损耗与73ns快速关断特性。适用于PFC电路、UPS、电焊机以及高频逆变器应用。

特性:提供高达650V的高击穿电压。 低VCEsat。 由于VCEsat的正温度系数,具有易于并联开关的能力。 非常快速和软的反并联二极管。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层。应用:UPS。 空调

特性:VCE = 650V。IC = 20A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4mm。为PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用:PFC。焊接

特性:低栅极电荷。 沟槽FS技术。 快速开关速度。 低开关损耗。应用:PFC。 UPS

CRG15T60A83L和CRG15T60A93L具有良好的导通和开关特性和易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

600 V、5 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

特性:高速开关和低功率损耗。 集电极-发射极饱和电压 VCE(sat) = 1.95V(集电极电流 IC = 40A 时)。 关断损耗 Eoff = 0.35mJ(壳温 TC = 25°C 时)。 高输入阻抗。 反向恢复时间 Trr = 80ns(典型值)(电流变化率 diF / dt = 1000A / μs 时)。 最大结温 Tjmax = 175°C。应用:不间断电源(UPS)。 功率因数校正(PFC)

特性:低栅极电荷。 FS技术。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 2.2V,IC = 15A,TC = 25°C。 符合RoHS标准的产品。应用:通用逆变器。 感应加热(IH)

特性:VCE = 1200 V。 IC = 3 A。 低饱和电压:VCEsat = 2 V(Taj = 150°C时)。 短路耐受时间:8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。应用:工业驱动器

特性:VCE = 1200 V。 IC = 8 A。 低饱和电压:VCEsat = 2 V(Tdj = 150°C时)。 短路耐用性:8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。应用:工业驱动器