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特性:快速开关。 低集电极发射极饱和电压。 高输入阻抗。 短路耐受时间5μs。应用:功率因数校正。 不间断电源

具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

N 沟道点火 IGBT,用于汽车点火线圈驱动器电路和插头应用上的线圈。

特性:低栅极电荷。 沟槽FS技术。 RoHS产品。应用:通用逆变器。 感应加热(IH)

汽车级400 V内部钳制IGBT ESCIS 320 mJ

CGWT80N65F2KAD采用了捷捷半导体(JSCJ)的第二代IGBT技术,具备先进的沟槽和场截止(FS)结构,具有较高的应用频率、低集电极 - 发射极饱和电压和开关损耗,易于并联使用。

特性:VCE = 1200 V。 IC = 8 A。 低饱和电压:VCEsat = 2 V(Taj = 150°C时)。 短路耐受时间:8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。应用:工业驱动器

采用最新的Alpha/GBT (alGBT)技术。击穿电压为650V。具有非常快速和软恢复的续流二极管。高效的开通di/dt可控性。非常高的开关速度。低关断开关损耗和软度。良好的EMI性能

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350V 120A IGBT

特性:VCE = 650V。IC = 70A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4mm。针对PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用:PFC。焊接

本IGBT管/模块具备40A集电极电流(Ic)和1200V集射极击穿电压(Vces),支持高耐压与大电流工作环境。导通状态下,集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V,有效降低损耗并提升效率。内部集成二极管正向电流(IF)达40A,正向压降(Vf)为1.85V,具备良好的开关特性和热稳定性。该器件适用于各类高效能电源转换系统、智能电网设备及新能源控制装置中的高频功率切换应用。

IGBT 650V 75A TO-247

该IGBT模块具有30A的集电极电流(Ic)和1350V的集射极击穿电压(Vces),适用于较高电压等级的功率应用环境。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V,有效控制导通损耗。内置续流二极管支持30A正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.85V,提升系统能效表现。模块设计符合标准封装规范,便于安装与散热管理,适用于电源变换、电机控制等高性能电力电子系统方案。

特性:VCE = 1400V,IC = 20A。 强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换流设计。 参数分布非常紧密。 高耐用性,温度稳定性好。 极低的VCEsat。 由于VCEsat具有正温度系数,易于并联。应用:电磁炉。 微波炉

应用程序 ,变频器 ,电机驱动器

应用 不间断电源 太阳能逆变器 焊接 PFC应用

特性:标准:针对最小饱和电压和低工作频率(<1kHz)进行优化。 无铅,符合RoHS标准。 通过汽车认证。应用:PTC加热器。 放电开关

采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止、650 V、50 A 高速 HB2 系列 IGBT