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该IGBT模块具有60A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces),适用于中高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V,能够在导通状态下保持较低的功耗。模块内置二极管,可承受50A的正向电流(IF),正向压降(Vf)同样为1.65V,具备良好的反向恢复性能。该器件适合用于电源转换、电机控制及能源管理等领域,提供稳定可靠的开关表现。

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特性:高速S5技术,适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。 极低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat),额定电流下为1.35V。 可即插即用替换上一代IGBT。 击穿电压为650V。 低栅极电荷QG。 IGBT与全额定快速1型反并联二极管共封装。应用:谐振转换器。 不间断电源

特性:VCE = 670 V。 IC = 50 A。 引脚间爬电距离 >4.8 mm。 引脚间电气间隙距离 >3.4 mm。 针对PFC应用优化的单片二极管。 改善的EMI特性,具有较低的dv/dt。应用:家用空调/商用空调。 家用暖通空调/商用暖通空调

特性:VCE = 1200 V-IC = 8 A-IGBT 与全电流、软恢复和低 Qrr 二极管共封装。 低饱和电压 VCE(sat) = 2.0 V(Tvj = 175°C 时)。 针对硬开关拓扑进行优化(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)。 短路耐受时间 8 μs。 宽范围的 dv/dt 可控性。应用:工业驱动器。 工业电源

采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止、650 V、50 A 高速 HB2 系列 IGBT

600 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

特性:低集电极-发射极饱和电压。 短路耐受时间8μs。 通过AEC-Q101认证。 内置超快软恢复FRD。 无铅镀铅;符合RoHS标准。应用:汽车和工业用通用逆变器

600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

特性:VCE = 1200 V-IC = 15 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。 低饱和电压,在 Tvj = 175°C 时 VCE(sat) = 2.0 V。 针对硬开关拓扑(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)进行了优化。 短路耐受时间为 8 μs。 具有宽范围的 dv/dt 可控性。应用:工业驱动器。 工业电源

应用 不间断电源 逆变器 焊接转换器 PFC应用 转换器与高转换频率

1200 V、25 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175°C。应用:太阳能转换器。不间断电源

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600 V、60 A超高速沟槽栅场截止IGBT

特性:TRENCHSTOPTM技术提供一流的开关性能:可实现低于500μJ的总开关损耗。极低的VCEsat。低EMI。最高结温175°C。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层;符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。不间断电源

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采用基于其专利条形布局的最新高压技术,设计了一系列先进的 IGBT,性能卓越。后缀 “H” 标识的系列针对高频应用进行了优化,以在保持低电压降的同时实现极高的开关性能(缩短下降时间 tfall)。

特性:VCE = 650 V。 IC = 50 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业不间断电源。 电动汽车充电