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特性:VCE = 650 V。 IC = 75 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压 VCEsat。 非常软且快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业不间断电源。 电动汽车充电

特性:VCE = 1200 V。 IC = 75 A。 最大结温 Tvjmax = 175°C。 同类最佳的高速 IGBT 与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V(Tvj = 25°C 时)。 针对高速硬开关拓扑(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)的高效率进行了优化。应用:工业 UPS。 电动汽车充电

特性:极低饱和电压:VCE(sat) = 1.8V @ IC = 120 A。 最高结温:TJ = 175°C。 正温度系数。 紧密的参数分布。 高输入阻抗。应用:混合动力汽车/电动汽车牵引逆变器。 辅助直流/交流转换器

特性:VCE = 650V,IC = 75A。 由于TRENCHSTOP 5和CoolSiC技术的结合,具有超低开关损耗。 在硬开关拓扑中具有基准效率。 可即插即用替代纯硅器件。 最高结温Tvjmax = 175°C。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。应用:工业开关电源。 工业不间断电源

特性:VCE = 1200 V。IC = 50 A。IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压:在 Tvj = 175°C 时,VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。应用:工业驱动器。工业电源

安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 工艺,为电感加热和 PFC 等务必保证低导通和开关损耗的应用提供优异性能。

特性:极低饱和电压:VCE(sat) = 2.1V @ IC = 160 A。 最高结温:TJ = 175°C。 正温度系数。 紧密的参数分布。 高输入阻抗。应用:混合动力汽车/电动汽车的牵引逆变器。 辅助直流/交流转换器

特性:高阻断电压。 集成反并联二极管。 国际标准封装。 低传导损耗。 低栅极驱动要求。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源 (UPS)

本款IGBT管/模块具备160A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces),适用于较高功率场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.37V,有助于降低导通损耗。内置二极管可支持160A的正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.33V,性能稳定,适合多种高要求电路设计应用。

特性:VCE = 1200 V。 IC = 100 A。 最大结温 Tv(jmax) = 175°C。 同类最佳的高速IGBT,与全额定电流、低Qrr和软换相高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V(Tvj = 25°C)。 针对高速硬开关拓扑(2-L逆变器、3-L NPC T型等)的高效率进行了优化。应用:工业UPS。 EV充电

特性:VCE = 650 V。 IC = 150 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业不间断电源。 电动汽车充电

特性:VCE = 1200 V-IC = 120 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。 低饱和电压:在 Tvj = 175°C 时,VCEsat = 2.0 V。 针对硬开关拓扑(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)进行了优化。 短路耐受时间为 8 μs。 宽范围的 dv/dt 可控性。 完整的产品系列和 PSpice 模型。应用:工业驱动器。 工业电源

特性:低侧 IGBT 为独立发射极类型。 短路保护。 温度传感器输出功能。 欠压保护。 故障信号输出功能。 输入接口:TTL(3.3V/5V) 高电平有效逻辑。应用:AC 100~240V 小功率交流电机驱动的三相逆变器驱动(如空调压缩机电机驱动、热泵应用压缩机电机驱动、风扇电机驱动、通风机电机驱动)

特性:VCE = 1200 V。 IC = 140 A。 最大结温 Tvjmax = 175°C。 同类最佳的高速 IGBT,与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V(Tvj = 25°C时)。 针对高速硬开关拓扑(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)的高效率进行了优化。应用:工业 UPS。 电动汽车充电

特性:低VCE(sat)。 紧凑型封装。 印刷电路板安装模块。 转换器二极管桥动态制动电路。 符合RoHS标准的产品。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器

MG75HF12MRC1-A1-0000

特性:低开关损耗。 低VCE(sat),具有正温度系数。 包含快速软恢复反并联FWD。 低电感外壳。 高短路能力(10us)。 使用DBC技术的隔离散热器。应用:电机驱动器。 交流和直流伺服驱动放大器

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MG150HF12MRC2-A1-0000