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二极管 / 晶体管型号

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MG150HF12MIC2-A1-0000

YANGJIE(扬杰)螺栓安装
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Trench FS IGBTs 为通用逆变器和其他软开关应用提供更低的损耗和更高的能源效率,如电机驱动、交流和直流伺服驱动放大器、电源。

JIAENSEMI(佳恩半导体)SMD,106.4x61.4mm
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:采用沟槽技术实现低VCE(sat)。 VCE(sat)具有正温度系数。 高短路能力(10μs)。 包含超快速软恢复反并联FWD。 低电感。 最高结温175°C。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器

YANGJIE(扬杰)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Trench FS IGBTs 为通用逆变器和其他软开关应用提供更低的损耗和更高的能源效率,如电机驱动、交流和直流伺服驱动放大器、电源。

JIAENSEMI(佳恩半导体)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:低Vce(sat),采用沟槽技术。 低开关损耗,特别是Eoff。 Vce(sat)具有正温度系数。 高短路能力(10us)。 包含超快速和软恢复反并联FWD。 低电感封装。应用:运动/伺服控制。 高频开关应用

YANGJIE(扬杰)C2
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:采用NPT技术的高速IGBT。 低开关损耗。 高短路能力(10μs)。 包含超快速软恢复反并联FWD。 低电感。 最高结温150°C。应用:高频驱动器。 太阳能逆变器

YANGJIE(扬杰)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:交流开关。 高速开关。 电压驱动。 低电感模块结构。应用:UPS、PCS等的交流开关

FUJI(富士电机)螺栓安装
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:低VCE(sat)。 紧凑型封装。 PCB板安装模块。 转换器二极管桥。 动态制动电路。 符合RoHS标准的产品。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器

FUJI(富士电机)插件,122x62mm
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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YANGJIE(扬杰)C2
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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MG400HF12MIC2-A1-0000

YANGJIE(扬杰)螺栓安装
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:高压封装。 高阻断电压。 高峰值电流能力。 低饱和电压。 低栅极驱动要求。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源 (UPS)

Littelfuse/IXYSTO-268HV
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:增加阻断电压能力至650V。 扩展工作温度Tvop。 高短路能力,自限短路电流。 2.5kV交流1分钟绝缘。 相比漏电起痕指数CTI > 400的封装。 高爬电距离和电气间隙。应用:高功率转换器。 电机驱动器

Infineon(英飞凌)SMD,106.4x61.4mm
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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模块采用JSCJ先进的沟槽和场截止(FS)IGBT技术,具有极低的集电极-发射极饱和电压,易于在驱动器和逆变器中使用。

CJ(江苏长电/长晶)E3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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模块采用JSCJ先进的沟槽和FS(场截止)IGBT技术,具有极低的集电极-发射极饱和电压,易于在驱动器和逆变器中使用。

CJ(江苏长电/长晶)E3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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模块采用JSCJ先进的沟槽和场截止(FS)IGBT技术,具有极低的集电极-发射极饱和电压,易于在驱动器和逆变器中使用。

CJ(江苏长电/长晶)E3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:扩展工作温度 TV(op)。高直流稳定性。高短路能力,自限短路电流。高可靠性。VCEsat 具有正温度系数。低 VCEsat。应用:辅助逆变器。高功率转换器

Infineon(英飞凌)SMD,172x89mm
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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FUJI(富士电机)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT产品,FS(场截止),耐压:650V,电流:10A,VCE(sat):1.8V

Siliup(矽普)TO-252
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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