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JJW(捷捷微)TO-220F
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-263
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-263
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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MOS管,TO-220F,N场,耐压:650V,电流:15A,功率:30W,CissTyp:1200PF
Cmos(广东场效应半导体)TO-220F
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Cmos(广东场效应半导体)TO-220
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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低损耗DuoPack封装:采用TrenchStop和Fieldstop技术的IGBT,搭配软恢复、快速恢复的反并联EmCon HE二极管。
Infineon(英飞凌)TO-220-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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MagnaChip(美格纳)TO-220F
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:低栅极电荷。 沟槽场截止(Trench FS)技术。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 1.6V,IC = 20A 且 TC = 25°C。 符合 RoHS 标准的产品。应用:通用逆变器。 不间断电源(UPS)
Slkor(萨科微)TO-220F
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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650V/40A/-40~+175°C/TO-3P/替代GT50JR22
CJ(江苏长电/长晶)TO-3P
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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650V/40A/-40~+175°C/TO-247/替代STGWA40HP65FB2
CJ(江苏长电/长晶)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:低栅极电荷。 Trench FS技术。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 1.6V,IC = 20A 且 TC = 25°C。 RoHS产品。应用:通用逆变器。 UPS
MASPOWER(麦思浦)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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采用TRENCHSTOPTM 5技术的高速5 FAST IGBT,与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。
Infineon(英飞凌)TO-220-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT产品,FS(场截止),耐压:650V,电流:20A,VCE(sat):1.6V
Siliup(矽普)TO-220F
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT产品,FS(场截止),耐压:650V,电流:20A,VCE(sat):1.6V
Siliup(矽普)TO-263
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT类型:FS(场截止) 集射极击穿电压:600V 集电极电流:60A 耗散功率:187W
minos(迈诺斯)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:VCE = 650 V。 IC = 30 A。 引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。 引脚到引脚间隙距离 > 3.4 mm。 为PFC和焊接应用优化的单片二极管。 稳定的温度特性。应用:PFC。 焊接
Infineon(英飞凌)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT 20A 1200V TO-263封装 高压晶体管 贴片封装
MASPOWER(麦思浦)TO-263
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:高速平滑开关器件,适用于硬开关和软开关。 最高结温175°C。 正温度系数。 高耐用性,温度稳定。应用:软开关应用。 空调
YANGJIE(扬杰)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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ROHM(罗姆)TO-252
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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这些器件是采用先进的PowerMESHTM技术开发的高速IGBT。该工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡
ST(意法半导体)TO-220
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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