海量元器件型号，
快速搜索匹配。

特性:VCE = 650 V。IC = 40 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。针对PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用:PFC。焊接

特性:短路耐受时间:10μs。 TrenchStop和Fieldstop技术用于1200V应用,具有非常紧密的参数分布。 TrenchStop和Fieldstop技术用于1200V应用,具有高耐用性和温度稳定性能。 NPT技术由于VCE(sat)的正温度系数,具有易于并联开关的能力。 低EMI。 低栅极电荷。应用:变频器。 不间断电源

特性:低栅极电荷。 沟槽场截止(Trench FS)技术。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 1.6V,IC = 20A 且 TC = 25°C。 符合 RoHS 标准的产品。应用:通用逆变器。 不间断电源(UPS)

特性:低VCE (on)非穿通IGBT技术。 低二极管VF。 10μs短路能力。 方形RBSOA。 超软二极管反向恢复特性。 正VCE (on)温度系数。 无铅

P:5000W VRWM:5.0V-220V GPP芯片

特性:TRENCHSTOPTM技术。 极低的VCEsat。 低关断损耗。 短尾电流。 低电磁干扰。 最高结温175°C。应用:驱动器。 太阳能逆变器

IGBT 15A 1200V TO-220F封装 高压晶体管 贴片封装

公开页面暂无产品说明。

特性:低VCE(sat)沟槽-场截止(FS)IGBT技术。 最高结温175°C。 正温度系数。 包含快速软恢复反并联续流二极管(FWD)。 高短路能力(10μs)。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器

应用 感应烹饪 逆变微波炉 谐振转换器 软开关应用

600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT

特性:高速开关和低功耗。 集电极-发射极饱和电压VCE(sat) = 1.95V @ IC = 40A。 关断损耗Eoff = 0.35mJ @ TC = 25°C。 高输入阻抗。 反向恢复时间Trr = 80ns(典型值)@ dF / dt = 1000A / μs。 最大结温Tv(jmax) = 175°C。应用:UPS。 PFC

该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces),适用于中等功率场景下的高频开关应用。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V,在保证性能的同时有助于降低导通损耗。内置续流二极管可承受最大40A正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.8V,具备稳定的反向恢复特性。模块采用优化的封装结构,散热性能良好,适用于对能效与稳定性有一定要求的电力电子系统设计。

600 V、10 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

特性:低开关损耗。 最高结温175°C。 正温度系数。 高耐用性,温度稳定。 高短路能力(5μs)。应用:高频开关应用。 医疗应用

特性:低栅极电荷。 FS技术。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 1.75V @ IC = 25A 和 TC = 25°C。 RoHS产品。应用:通用逆变器。 感应加热(IH)

N 沟道点火 IGBT,用于汽车点火线圈驱动器电路和插头应用上的线圈。

特性:TRENCHSTOP技术提供极低的VCEsat。 低EMI。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 最高结温175°C。 针对目标应用通过JEDEC认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。应用:不间断电源。 焊接转换器

特性:VCE = 1200 V。 IC = 3 A。 低饱和电压:VCEsat = 2 V(Tdj = 150°C时)。 短路耐受时间:8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。应用:工业驱动器

650 V、15 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT