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该IGBT模块具备50A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces),适用于中等功率电力转换场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V,有助于降低导通损耗,提升系统整体效率。内部集成二极管可承受50A的正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.85V,具备良好的热稳定性和反向恢复性能。模块采用通用封装设计,便于安装与维护,适合用于各类高效能电源设备中的电力调控应用。

特性:高速开关和低功率损耗。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 1.6V,IC = 30A 且 TC = 25°C。 Eoff = 0.35mJ,@ TC = 25°C。 高输入阻抗。 最大结温 175°C。应用:PFC 与 UPS。 焊机与 IH 炊具

特性:低栅极电荷。 沟槽截止技术。 高速开关。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 1.6V,@ IC = 50A 和 TC = 25°C。应用:通用逆变器。 感应加热(IH)

该IGBT管/模块具备40A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces),适用于较高功率场景下的电流与电压需求。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V,有助于降低导通损耗,提高系统效率。内置二极管可支持40A的正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.8V,表现出良好的续流能力与热稳定性。该器件适合用于需要高效能开关操作及稳定性能的应用环境,提供可靠的能量传输解决方案。

600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT

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应用程序,变频器,电机驱动器

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):64A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ

本IGBT模块具备50A集电极电流(Ic)和650V集射极击穿电压(Vces),适用于中功率电力电子应用。其集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.6V,有效降低导通损耗,提升系统效率。内置续流二极管可承受50A正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.85V,具备良好的热稳定性和高频响应能力。该模块适合用于高效电源转换、智能电网设备、新能源变换装置及精密电机控制等领域,满足对性能与可靠性有较高要求的设计需求。

本产品为IGBT管/模块,具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces),适用于较高电压与功率需求的电力电子系统。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V,在保证性能的同时有效控制导通损耗。内置二极管可支持40A的正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.85V,表现出良好的导通特性和热稳定性。该器件适合用于高频开关、电源转换及能量管理系统的电路设计,能够满足对耐压能力与运行可靠性有要求的应用场景。

特性:低栅极电荷。 沟槽FS技术。 饱和电压:VCE(sat) = 1.8V @ IC + 40A。 符合RoHS标准。应用:通用逆变器。 UPS

600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

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采用沟槽和场截止技术的高速绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。

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本IGBT管/模块具备40A集电极电流(Ic)和1200V集射极击穿电压(Vces),适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压(VCE(sat))典型值为1.7V,有效降低导通损耗,提升系统效率。内置续流二极管支持40A正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.85V,具备良好的反向恢复特性。该器件适合应用于高性能电源转换系统,如智能电网设备、高效能变频器及精密电机控制模块,满足对稳定性和耐压能力有较高要求的电路设计需求。

特性:非常低的VCEsat。 低关断损耗。 短尾电流。 低EMI。 最高结温175°C。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用:驱动器。 太阳能逆变器

采用新型场截止第四代 IGBT 技术,可在各种应用中实现高效运行,具有低导通和开关损耗,无需反向恢复规格。

特性:高效沟槽场截止技术。 最高结温(TJmax):175°C。 软快速反向恢复二极管。 针对高速开关进行优化。 10μs短路承受能力。应用:太阳能逆变器。 UPS

650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT,TO-247长引线封装