海量元器件型号，
快速搜索匹配。

特性:高击穿电压至1200V,提高可靠性。 最高结温175°C。 正温度系数。 包含快速软恢复反并联FWD。应用:高频开关应用。 谐振转换器

特性:强大的单片体二极管,低正向电压,专为软换流设计。 TRENCHSTOPTM技术,具有以下特点:非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性好。低集电极-发射极饱和电压(VCEsat)。由于VCEsat的正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰(EMI)。应用:感应烹饪。 微波炉

采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS(场截止)技术,这款1200V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能,且易于并联运行。

采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止、650 V、100 A 高速 HB2 系列 IGBT

采用新型场截止 IGBT 技术,安森美半导体(ON Semiconductor)的新一代场截止第四代 IGBT 系列,为太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、焊机、电信、储能系统(ESS)和功率因数校正(PFC)等应用提供了最佳性能,这些应用对低导通和开关损耗有严格要求。

该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces),适用于高电压与中高功率的应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V,在导通状态下可有效控制功率损耗。内置二极管可承受最高40A的正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.85V,表现出稳定的续流能力和良好的热性能。模块结构设计紧凑,支持高效、可靠的电力转换与控制功能,适用于多种高性能电子系统的功率管理需求。

该IGBT管/模块具备60A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces),可支持中高功率电力转换需求。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V,有助于降低导通损耗,提升系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流(IF),正向压降(Vf)为1.65V,具备良好的电流承载与恢复特性。适用于各类高效能电源设备、储能系统及智能电网相关装置,满足对稳定性与效率的高标准要求。

本IGBT模块具备60A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces),适用于高电压与大电流的工作环境。导通时,集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V,有助于降低导通损耗,提高系统效率。内置二极管可承受60A的正向电流(IF),其正向压降(Vf)为2.35V,具备良好的热稳定性和可靠性。该器件可广泛应用于高效电源转换、精密电机控制及电力调节设备中,满足对功率密度和能效要求较高的场景需求。

特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。 低Qs。 最高结温175°C。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用:不间断电源。 太阳能转换器

Vce:90V Ic:30A VCEsat:1.85V Tvj=25°C Tvjmax:175°C

HGTG5N120BND和HGTP5N120BND采用非穿通(NPT)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)设计。它们是MOS栅控高压开关IGBT系列的新成员

低损耗DuoPack封装:采用TrenchStop和Fieldstop技术的IGBT,搭配软恢复、快速恢复的反并联发射极控制HE二极管。约1

是一款高压电流隔离式IGBT驱动器,专为高压汽车应用而设计。该器件基于无芯变压器(CT)技术,可在低压和高压域之间提供8kV的电流隔离。支持高达1200V的IGBT。该器件具有强大的输出级,峰值电流高达15A,适用于高功率开关

公开页面暂无产品说明。

飞兆半导体的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术,为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并行配置,具有极佳的雪崩能力。该器件为感应加热和微波炉而设计。

特性:VCE = 1200V。 IC = 75A。 最高结温 Tvjmax = 175°C。 同类最佳的高速IGBT与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7V(Tvj = 25°C时)。 针对高速硬开关拓扑(2-L逆变器、3-L NPC T型等)的高效率进行了优化。应用:工业UPS。 电动汽车充电

特性:高速软开关IGBT6技术,在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。 由于VCEsat的正温度系数,易于并联。 低电磁干扰。 低栅极电荷Qg。 非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。 最高结温175°C。应用:工业不间断电源。 充电器

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。