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Clestek · 电子元器件型号库
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应用于汽车牵引力模块,通用动力模块
MSG32D170HLC0 1700V 32A 高压IGBT TO-247 低Qg与10μs短路耐受力,适用于PFC、UPS及大功率逆变器等设备
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特性:VCE = 1200 V。 IC = 100 A。 最高结温 Tvjmax = 175°C。 同类最佳高速IGBT,与全额定电流、低Qrr和软换相高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V(Tvj = 25°C时)。 针对高速硬开关拓扑(2-L逆变器、3-L NPC T型等)的高效率进行了优化。应用:工业UPS。 电动汽车充电
特性:国际标准封装。 高压封装。 高阻断电压。 低饱和电压。 低栅极驱动要求。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源 (UPS)
特性:采用沟槽技术实现低VCE(饱和)。 VCE(饱和)具有正温度系数。 高短路能力(10μs)。 包含超快速和软恢复反并联FWD。 低电感。 最高结温175°C。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器
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MG100HF12MIC1-A1-0000
IGBT模块
特性:AC开关。 高速开关。 电压驱动。 低电感模块结构。应用:UPS、PCS等的交流开关
特性:低VCE(sat)。 紧凑型封装。 印刷电路板安装模块。 转换器二极管桥。 动态制动电路。 符合RoHS标准。应用:电机驱动逆变器。 交直流伺服驱动放大器
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MG200HF12MIC2-A1-0000
1200V/75A/-40~+150°C/EconoPIM3/替代FP75R12KT4
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MG300HF12MRC2-A1-0000
特性:高速开关。电压驱动。低电感模块结构。应用:软开关应用。工业机器,如焊接机
IGBT功率模块具备极低的导通损耗和出色的短路耐受能力。它们专为通用逆变器和不间断电源(UPS)等应用而设计。
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