海量元器件型号，
快速搜索匹配。

特性:强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换相设计。 TRENCHSTOPTM 技术应用提供: 非常紧密的参数分布。 高耐用性,温度稳定性能。 低集电极-发射极饱和电压 (VcEsat)。 由于 VcEsat 具有正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰 (EMI)。应用:感应烹饪。 逆变微波炉

公开页面暂无产品说明。

特性:强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换流设计。 非常紧密的参数分布。 高耐用性,温度稳定。 低VCEsat。 由于VCEsat的正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰。应用:感应烹饪。 逆变微波炉

本产品为IGBT管/模块,具备60A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces),适合高功率场景下的稳定工作。在导通状态下,集射极饱和电压(VCE(sat))仅为1.65V,有助于降低导通损耗。内置二极管可支持高达50A的正向电流(IF),其正向压降(Vf)也为1.65V,提升了整体能效表现。该器件适用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统设计,能够满足复杂电路中对可靠性和性能的要求。

1200 V、8 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175°C。应用:太阳能转换器。 不间断电源

特性:TRENCHSTOPTM技术提供极低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat)。 低电磁干扰(EMI)。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 最高结温175°C。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。应用:不间断电源。 焊接转换器

ISL9V5045S3ST_F085 是下一代 IGBT,提供卓越的 SCIS 能力,采用 D2-Pak (TO-263) 塑料封装。此器件适用于汽车点火电路,尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位,而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息,请联系当地安森美半导体销售办公室。

MSG120T65HLC1V 650V 120A 大电流IGBT TO-247plus 低损耗,适高频电源、储能、新能源汽车(HEV/EV)牵引逆变器及电机驱动等。

安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

公开页面暂无产品说明。

IGBT 1200V 75A TO-247plus

650 V、40 A软开关沟槽栅场截止IH系列IGBT,TO-247长引线封装

600 V、30 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

公开页面暂无产品说明。

MSG200T65HLB3,650V/200A TO-264 超大电流 IGBT,低饱和压降,适工业逆变、储能、焊机、新能源汽车(HEV/EV)牵引逆变器、辅助DC/AC转换器及大功率电机驱动等

1250 V、25 A IH系列沟槽栅场截止IGBT

沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、75 A,低损耗

1200 V、25 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

这款绝缘栅双极晶体管(IGBT)采用坚固且具有成本效益的场截止 II 型沟槽结构,在苛刻的开关应用中提供卓越性能,兼具低导通态电压和最小开关损耗。该 IGBT 非常适合用于 UPS 和太阳能应用。器件中集成了一个具有低正向电压的软恢复快速续流二极管。