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特性:高速H3技术提供:由于采用开尔文发射极引脚封装结合高速H3技术,具有超低开关损耗。在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。在Tvj = 175°C时具有10μs的短路耐受时间。由于VCE(sat)具有正温度系数,易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷QG。应用:工业不间断电源。充电器

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特性:VCE = 1200 V。 IC = 50 A。 最大结温 Tvjmax = 175°C。 同类最佳的高速 IGBT,与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V(Tvj = 25°C 时)。 针对高速硬开关拓扑(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)的高效率进行了优化。应用:工业 UPS。 电动汽车充电

MSG32D170HLE0 1700V 32A 高压IGBT TO-263 低Qg与10μs短路耐受力,适用于PFC、UPS及大功率逆变器等设备

特性:TRENCHSTOPTM技术。极低的关断能量。低VCEsat。低FMI。最高结温175°C。针对目标应用通过JEDEC认证。应用:不间断电源。焊接转换器

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Maspower MSG25D350HLE0 3500V 25A 超高压IGBT单管 TO-263

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特性:VCE = 1200 V。 IC = 120 A。 最高结温 Tvjmax = 175°C。 同类最佳的高速IGBT,与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V(Tvj = 25°C时)。 针对高速硬开关拓扑(2-L逆变器、3-L NPC T型等)的高效率进行了优化。应用:工业UPS。 电动汽车充电

特性:VCE = 1200 V。 IC = 100 A,IGBT与全电流、软恢复且低Qrr的二极管共封装。 低饱和电压:在Tvj = 175°C时,VCEsat = 2.0 V。 针对硬开关拓扑进行优化(2-L逆变器、3-L NPC T型等)。 短路耐受时间8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。应用:工业驱动器。 工业电源

特性:高压封装。 高阻断电压。 低饱和电压。 低栅极驱动要求。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源 (UPS)

380V 200A IGBT

特性:低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))。 紧凑型封装。 印刷电路板安装模块。 内置转换器二极管桥和动态制动电路。 符合RoHS标准。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器

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650V/100A/-40~+150°C/Easy 2B/替代F3L100R07W2E3

1200V 75A FD7 电源模块 高功率 NPT IGBT 模块

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650V/150A/-40~+150°C/Easy 2B/替代F3L150R07W2E3

采用 ACEPACK SMIT 封装的汽车级沟槽栅极场截止、650 V、200 A 低损耗 M 系列 IGBT

62mm C-系列模块,采用快速沟槽/场截止IGBT4和优化的发射极控制二极管