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特性:TRENCHSTOP技术提供: 极低的关断能量。 低集电极-发射极饱和电压。 低FMI。 最高结温175°C。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层,无卤模塑料,符合RoHS标准。应用:不间断电源。 焊接转换器

应用 不间断电源 太阳能逆变器 焊接 PFC应用

MSG60T65QHC0采用Field Stop IGBT技术,VCES=650V,IC=60A,全电流,具备10μs短路承受能力与方正RBSOA特性,VCE(sat)典型值2.3V,适用于逆变器、IH及焊接设备。

特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供同类最佳效率。 650V击穿电压。 低QG。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。 最高结温175°C。 无铅镀铅,符合RoHS标准。应用:能源发电。 太阳能串式逆变器

特性:高速S5技术,适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat,在额定电流下为1.35V。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用:谐振转换器。不间断电源

特性:低栅极电荷。 沟槽截止技术。 高速开关。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 1.5V @ IC = 50A 和 TC = 25°C。应用:通用逆变器。 感应加热(IH)

特性:低集电极-发射极饱和电压。 低开关损耗。 短路耐受时间 5μs。 内置超快软恢复 FRD(RFN 系列)。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。应用:通用逆变器。 UPS

特性:高速开关和低功率损耗。 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):在集电极电流(IC)为 40A 时为 1.95V。 关断损耗(Eoff):在壳温(TC)为 25°C 时为 0.35mJ。 高输入阻抗。 反向恢复时间(Trr):典型值 80ns,在电流变化率(diF/dt)为 1000A/μs 时。 最大结温(Tjmax):175°C。应用:不间断电源(UPS)。 功率因数校正(PFC)

应用 感应烹饪 逆变微波炉 谐振转换器 软开关应用

汽车级450 V内部钳制IGBT ESCIS 300 mJ

应用 不间断电源 逆变器 焊接转换器 PFC应用 转换器与高转换频率

600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

特性:低栅极电荷。 沟槽FS技术。 饱和电压:VCE(sat) = 2.0V @ IC = 40 A。 符合RoHS标准。应用:通用逆变器。 焊接

特性:较低的导通压降(VCE(sat))。较低的CReS/CReS比(无交叉导通敏感性)。非常软的超快速恢复反并联二极管。短路耐受时间:10μs。应用:高频电机控制。硬开关和谐振拓扑中的开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)

650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

650V 100A IGBT

采用基于专利条形布局的最新高压技术,推出了性能卓越的先进 IGBT 系列——PowerMESHTM IGBT。后缀 “S” 表示该系列针对低频应用(< 1 kHz)进行了优化,可实现最小导通压降。

特性:TRENCHSTOP Reverse Conducting (RC) 技术,适用于 600V 应用。优化 Eon、Eoff 和 Qrr,实现低开关损耗。工作范围为 4 至 30kHz。平滑开关性能,低 EMI 水平。非常紧密的参数分布。最大结温 175°C。应用:家用和工业驱动器。压缩机

应用 不间断电源 太阳能逆变器 焊接 PFC应用

特性:TRENCHSTOP 5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可即插即用替换上一代IGBT。 击穿电压:650V。 低栅极电荷QG。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 最高结温175°C。应用:感应烹饪。 逆变微波炉