1200 V、8 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT
ST(意法半导体)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT单管 650V 50A 应用于变频器
MASPOWER(麦思浦)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:低栅极电荷。 沟槽截止技术。 高速开关。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 1.25V @ IC = 80A 和 TC = 25°C。应用:通用逆变器。 感应加热(IH)
MASPOWER(麦思浦)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:低栅极电荷。 沟槽截止技术。 高速开关。 饱和电压:VCE(sat), typ = 1.5V。应用:通用逆变器。 感应加热(IH)
MASPOWER(麦思浦)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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应用 软开关应用 空调 电机驱动逆变器
SPTECH(深圳质超)TO-220MF
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:高速F5技术,在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175°C。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用:太阳能转换器。不间断电源
Infineon(英飞凌)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:高电流能力。 低饱和电压:VCE(sat) = 1.58 V @ IC = 80 A。 高输入阻抗。 符合RoHS标准。应用:PDP TV
MASPOWER(麦思浦)TO-247
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IGBT 650V 75A TO-247封装 无反向二极管的IGBT 国产
MASPOWER(麦思浦)TO-247
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1200V 50A IGBT
MASPOWER(麦思浦)TO-264
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ROHM(罗姆)TO-252
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FUJI(富士电机)TO-247
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600 V、10 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT
ST(意法半导体)D2PAK
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这些器件是采用先进的PowerMESHTM技术开发的高速IGBT。该工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的完美平衡。
ST(意法半导体)TO-220
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特性:高速F5技术,在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175°C。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用:太阳能转换器。不间断电源
Infineon(英飞凌)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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应用 不间断电源 太阳能逆变器 焊接 PFC应用
SPTECH(深圳质超)TO-247-3
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ROHM(罗姆)TO-252
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特性:VCE(sat)(typ.) = 1.85V @ VGE = 15V, IC = 75A。 高速开关。 更高的系统效率。 软电流关断波形。应用:UPS。 交流和直流电机控制
MASPOWER(麦思浦)TO-264
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:采用场截止技术的高效沟槽。 最高结温TJmax = 175°C。 软快速反向恢复二极管。 针对高速开关进行优化。 具备10μs短路承受能力。应用:太阳能逆变器。 不间断电源(UPS)
MASPOWER(麦思浦)TO-264
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采用 TO-247 长引线封装的沟槽栅极场截止 650 V、20 A 高速 HB2 系列 IGBT
ST(意法半导体)TO-247-3
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汽车级450 V内部钳制IGBT ESCIS 300 mJ
ST(意法半导体)D2PAK
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