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特性:极低的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):1.5V(典型值)。 最高结温:175°C。 短路耐受时间:5μs。 专为变频器和不间断电源设计。 适用于600V应用的TRENCHSTOP和场截止技术,具有:非常紧密的参数分布。高耐用性和温度稳定性。非常高的开关速度。 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))具有正温度系数。 低电磁干扰(EMI)。 低栅极电荷。 符合JEDEC目标应用标准。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准

汽车级390 V内部钳制IGBT ESCIS 300 mJ

20 A、410 V内部钳制IGBT

汽车级600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT,TO-247长引线封装

特性:低集电极-发射极饱和电压。 低开关损耗。 短路耐受时间5μs。 内置超快软恢复FRD(RFN系列)。 无铅镀铅;符合RoHS标准。应用:通用逆变器。 UPS

1200 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

600 V、80 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、10 A,低损耗

N 沟道点火 IGBT,用于汽车点火线圈驱动器电路和插头应用上的线圈。

IGBT 650V 100A TO-247Plus

600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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特性:极低的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))。 短路耐受时间:在结温(Tvj)为175°C时为5μs。 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))具有正温度系数。 低电磁干扰(EMI)。 非常软且快速恢复的反并联二极管。 最高结温为175°C。应用:通用驱动器(GPD)。 伺服驱动器

特性:VCE = 650 V。 IC = 40 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压 VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业不间断电源。 电动汽车充电

采用新型场截止第四代高速IGBT技术。符合AEC Q101标准的AFGHL50T65SQD为汽车应用中的硬开关和软开关拓扑提供了最佳性能。

650 V、20 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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