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Infineon(英飞凌)TO-263
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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汽车级600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
ST(意法半导体)D2PAK
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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ST(意法半导体)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:高压封装。 取代高压达林顿管和串联MOSFET。 较低的有效导通电阻。 MOS栅极导通。 驱动简单。 与10V导通栅极电压的MOSFET兼容。应用:反激式转换器。 直流斩波器
Littelfuse/IXYSTO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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ST(意法半导体)PowerFLAT5x6
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
ST(意法半导体)TO-247
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FUJI(富士电机)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)TO-263
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特性:硬开关和谐振拓扑结构下效率高。 10μs短路耐受时间(Tvj = 175°C)。 低栅极电荷QG。 非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。 最高结温Tvjmax = 175°C。应用:UPS。 充电器
MASPOWER(麦思浦)TO-264
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。650V击穿电压。低QG。最高结温175°C。符合JEDEC标准,适用于目标应用。应用:不间断电源。太阳能转换器
Infineon(英飞凌)TO-247-3
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AFGHL75T65SQDT采用新型场截止第四代IGBT技术和隐形二极管技术,具备低导通损耗和低开关损耗的特性,可实现最优性能,适用于各类应用的高效运行,尤其适用于图腾柱无桥PFC和DC-DC模块。
onsemi(安森美)TO-247-3L
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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1200 V、40 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT
ST(意法半导体)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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1200 V、40 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT
ST(意法半导体)TO-247-3
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ST(意法半导体)TO-247LONGLEADS
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
ST(意法半导体)TO-247
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Littelfuse/IXYSTO-263HV
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT单管 650V 120A 大电流 TO-264
MASPOWER(麦思浦)TO-264
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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ST(意法半导体)NSDIP-26L
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600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT
ST(意法半导体)TO-3PFM
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Infineon(英飞凌)TO-247-3
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