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MSG25D170HLE0 1700V,25A,贴片封装,低栅荷,@12A下典型饱和压降仅3.0V。FS技术加持,具备10μs短路耐受能力,适用于PFC电路、UPS及工业逆变器等。

MSG15D300HLE0,3000V/15A 超高压 IGBT,TO-263 贴片。用FS技术实现低栅电荷与高输入阻抗,支持10μs短路耐受时间。适用于开关/谐振模式电源(SMPS)、UPS、激光发生器及电容放电电路。

特性:VCE = 650 V-IC = 75 A。 由于TRENCHSTOPTM 5和CoolSiCTM技术的结合,具有超低开关损耗。 极低的导通损耗。 在硬开关拓扑中具有基准效率。 可即插即用替代纯硅器件。 最高结温Tvjmax = 175°C。应用:工业开关电源。 工业不间断电源

特性:高速H3技术提供:由于采用开尔文发射极引脚封装结合高速H3技术,具有超低开关损耗。在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。在Tvj = 175°C时,具有10μs的短路耐受时间。由于VCE(sat)具有正温度系数,易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷QG。应用:工业不间断电源。 充电器

超低饱和电压(Vsat)穿通型(PT)绝缘栅双极晶体管(IGBT),适用于高达5kHz的开关应用。

特性:VCE = 650 V。 IC = 120 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业不间断电源。 电动汽车充电

特性:极低饱和电压:VCE(sat) = 1.65V @ IC = 100A。 最高结温:TJ = 175°C。 正温度系数。 紧密的参数分布。 高输入阻抗。应用:混合动力汽车/电动汽车牵引逆变器。 辅助直流/交流转换器

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1200V 100A FD7 电源模块 IGBT模块 焊机

特性:VCE = 650 V-IC = 75 A。 由于TRENCHSTOPTM 5和CoolSiCTM技术的结合以及开尔文发射极引脚,具有超低开关损耗。 极低的导通损耗。 在硬开关拓扑中具有基准效率。 可即插即用替代纯硅器件。 由于四引脚封装的优化引脚布局,简化了PCB设计。应用:工业开关电源。 工业不间断电源

特性:AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力。极低饱和电压:VCE(sat) = 1.6V(典型值),IC = 160A。最高结温:TJ = 175°C。正温度系数。紧密的参数分布。高输入阻抗。应用:混合动力汽车/电动汽车牵引逆变器。辅助直流/交流转换器

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汽车级沟槽场截止 600 V、60 A 超高速 V 系列 IGBT,具有续流 SiC 二极管

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安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能、UPS、电信、ESS 和 HVAC 应用等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

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