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650 V、120 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT
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特性:低VCE(sat) 。 紧凑型封装。 印刷电路板安装模块。 转换器二极管桥动态制动电路。 符合RoHS标准的产品。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器
特性:低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))。 紧凑型封装。 印刷电路板安装模块。 转换器二极管桥。 动态制动电路。 符合RoHS标准。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动器
特性:AC开关。 高速开关。 电压驱动。 低电感模块结构。应用:UPS、PCS等的AC开关
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特性:平面IGBT技术。 低饱和电压。 10μs短路电流。 低关断损耗。 正温度系数。 具有快速软反向恢复的续流二极管。应用:焊机/电源。 UPS/逆变器
IGBT模块
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特性:电气特性: -VCES = 1200V。ICnom = 100A / ICRM = 200A。低 VCESat。 可在高达 175°C 下进行过载操作。 采用 TRENCHSTOP IGBT7。 机械特性: -具有低热阻的 Al2O3 基板。应用:伺服驱动器。 辅助逆变器
特性:低开关损耗。 Trench IGBT 3。 VcEsat 具有正温度系数。 低 VcEsat。 Al2O3 基板,热阻低。 紧凑设计。应用:辅助逆变器。 空调
特性:针对低导通和开关损耗进行优化。 具备短路能力。 具备高电流处理能力。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)
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