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特性:VCE = 600V。 IC = 6A。 非常紧密的参数分布。 工作范围为 1 至 20kHz。 最高结温 150°C。 短路能力为 3μs。应用:吊扇。 台面电器

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IGBT 带有集成二极管,其封装具有节省空间的优势。适用于高达 30kHz 的硬开关应用。

IGBT,1200V,25A,263顶部散热,10-20kHz

IGBT单管,650V

特性:极低的VCE(sat) 1.5V(典型值)。 最高结温175°C。 短路耐受时间3μs。 适用于650V应用的沟槽和场截止技术提供: -非常紧密的参数分布。高鲁棒性,温度稳定性能。低VCEsat和正温度系数。应用:驱动器。通用驱动器(GPD)

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特性:极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat):1.5V(典型值)。 最高结温175°C。 短路耐受时间3μs。 适用于650V应用的沟槽和场截止技术,具有非常紧密的参数分布。 高鲁棒性,温度稳定特性。 低集电极-发射极饱和电压VCEsat和正温度系数。应用:驱动器-通用驱动器。 大型家用电器-空调

Vce=600V,Ic=20A,Vce(sat)=1.5V

特性:SCIS能量:在T_J = 25°C时为335mJ。 逻辑电平栅极驱动。 符合AEC Q101标准。 符合RoHS标准。应用:汽车点火线圈驱动电路。 火花塞线圈应用

Trench IGBTs 为 UPS、感应转换器、不间断电源和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

特性:低栅极电荷。 沟槽 FS 技术。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 1.6V,IC = 50A 且 TC = 25°C。 RoHS 产品。应用:通用逆变器。 UPS

采用沟槽和场截止技术的高速 IGBT,600V 高速开关系列第三代产品

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UF系列IGBT提供低传导和开关损耗。该系列专为需要高速开关的通用逆变器等应用而设计。

特性:极低的集电极发射极饱和电压(VCE(sat)):1.5V(典型值)。 最高结温:175°C。 短路耐受时间:3μs。 适用于650V应用的沟槽和场截止技术,具有非常紧密的参数分布。 高耐用性和温度稳定性。 低集电极发射极饱和电压(VCEsat)和正温度系数。应用:驱动器。 通用驱动器(GPD)

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NPT IGBTs 为诸如 IH(感应加热)、UPS、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

IGBT单管N沟道,VCE=1200V,IC=75A,广泛应用于电源、电机驱动、光伏逆变等。

400V N-channel ignition IGBT for automotive ignition coil driver circuits and coil on plug applications.