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600 V、20 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

特性:强大的单片反向导通二极管,正向电压低。 TRENCHSTOPTM技术提供: 非常紧密的参数分布。 高耐用性和稳定的温度特性。 极低的VCEsat和低Eoff。 由于VCEsat的正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰。应用:感应烹饪。 逆变微波炉

N 沟道点火 IGBT,用于汽车点火线圈驱动器电路和插头应用上的线圈。

特性:VCE = 1400V。IC = 40A。强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换流设计。参数分布非常紧密。高耐用性,温度稳定性好。极低的VCEsat。应用:电磁炉。微波炉

采用新型场截止 IGBT 技术,新一代场截止第四代 IGBT 为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS 和 PFC 应用提供了最佳性能,这些应用中低导通和开关损耗至关重要。

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TRENCHSTOP IGBT 7 PR7 反向导通 IGBT,用于升压 PFC 级,具备改善的 EMI 特性,可为高功率和高开关频率应用提供同类最佳性能。

采用新型场截止第 4 代 IGBT 技术。FGHL50T65SQ 是单 IGBT。此 IGBT 在各种应用中以低导通损耗和开关损耗提供最佳性能。

特性:高速F5技术,在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175°C。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用:太阳能转换器。不间断电源

特性:强大的单片反向导通二极管,正向电压低。 TRENCHSTOPTM 技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和稳定的温度特性。 -非常低的 VCEsat 和低 Eoff。 -由于 VCEsat 的正温度系数,具有易于并联开关的能力。 低电磁干扰。应用:感应烹饪。 逆变式微波炉

特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷Qg。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。 最高结温175°C。 无铅镀铅,符合RoHS标准。应用:能源发电-太阳能串式逆变器-太阳能微型逆变器。 工业电源-工业开关电源-工业不间断电源

高速、低饱和电压650 V TRENCHSTOP IGBT7技术,与软、快速恢复发射极控制7二极管共封装。

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特性:最大结温:TJ = 175°C。 高速开关系列。 VCE(sat) = 1.6 V(典型值)@ IC = 40 A。 100%的器件经过动态测试。 AEC-Q101认证。 这些器件无铅且符合RoHS标准。应用:汽车车载充电器。 混合动力汽车的汽车DC/DC转换器

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600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

N 沟道点火 IGBT,用于汽车点火线圈驱动器电路和插头应用上的线圈。

1200 V、25 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

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