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FGH40T65SPD_F085 使用新颖的第三代场截止 IGBT 技术,具有低导通损耗和开关损耗的最佳性能,可在各种应用中实现高效能运行,同时提供 50V 的更高阻断电压和稳固的高电流开关可靠性。同时,该零件还具有并行运行的出色性能优势。

1200 V、50 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT,Max247长引线封装

特性:6.5 代。 RC-IGBT 由一个在 IGBT 芯片中单片集成的续流二极管 (FWD) 组成。 增强模式。 高速开关。 -IGBT:tf = 0.05 μs(典型值)(IC = 50A)。 -FWD:trr = 0.35 μs(典型值)(IF = 15A)。应用:电流谐振逆变器开关应用

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使用新型场截止第七代 IGBT 技术和 Gen7 二极管,采用 TO247 三引脚封装,为太阳能、UPS 和 ESS 等各种应用中的高效运行提供了低开关和传导损耗的最佳性能。

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1200 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

特性:TRENCHSTOPTM技术提供极低的关断能量。低VCEsat。低EMI。最高结温175°C。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层,无卤模塑料,符合RoHS标准。应用:不间断电源。焊接转换器

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特性:高速S5技术,适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。 极低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat),标称电流下为1.42V。 可即插即用替换上一代IGBT。 击穿电压为650V。 低栅极电荷QG。 IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用:工业不间断电源(UPS)。 工业开关电源(SMPS)

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特性:TRENCHSTOPTM技术提供极低的VCEsat。低电磁干扰(EMI)。最高结温175°C。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层,无卤模塑料,符合RoHS标准。应用:不间断电源。焊接转换器

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通过 AEC Q101 认证的 AFGY120T65SPD,在各种应用中实现高效运行时,具有极低的导通和开关损耗,具备出色的瞬态可靠性和低电磁干扰(EMI)特性。同时,该器件还具有卓越的并联运行性能和均衡的电流分配优势。

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安森美半导体的新型混合 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 和 SiC SBD 技术,为硬开关应用提供了最佳性能。该器件将硅基 IGBT 与 SiC 肖特基势垒二极管联合封装,在硅基解决方案的较低性能和全碳化硅解决方案的较高成本之间实现了绝佳平衡。