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特性:低VCE(sat)。 短路耐受时间:在Tvj = 175°C时为5μs。 VCE(sat)具有正温度系数。 低EMI。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 最高结温:175°C。应用:通用驱动器(GPD)。 伺服驱动器

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是一种高速穿通开关模式 IGBT。通过领先的技术、硅设计和寿命控制工艺实现低 Eoff。与其他 IGBT 技术相比,降低 Eoff 和 VCE(ON) 的折衷结果带来了卓越的效率。低栅极电荷和大大降低的 Cres/Cles 比率提供了出色的抗噪性、短延迟时间和简单的栅极驱动。多晶硅栅极结构的本征芯片栅极电阻和电容有助于在开关期间控制 di/dt,即使在高频开关时也能实现低 EMI。

特性:1200V 75A。VCE(sat)(typ.) = 2.5V。平面栅场截止技术。高 RBSOA 性能。低关断损耗。应用:感应加热。电焊机

特性:低VCE(sat) L5技术。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 导通和开关损耗之间的同类最佳权衡。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 最高结温175°C。应用:不间断电源。 太阳能光伏逆变器

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特性:非常低的VCE(sat),标称电流下为1.75V。 在Tv = 175°C时,短路耐受时间为10μs。 由于VCE(sat)具有正温度系数,易于并联。 低EMI。 非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。 最高结温175°C。应用:通用驱动器(GPD)。 伺服驱动器

特性:VCE = 650 V。 IC = 50 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业UPS。 电动汽车充电

特性:符合汽车AEC-Q101标准。专为汽车应用的DC/AC转换器设计。极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat):1.5V(典型值)。最高结温175°C。经过动态应力测试。短路耐受时间5μs。应用:主逆变器。气候压缩机

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特性:VCE = 1200 V。 IC = 120 A。 低饱和电压VCEsat = 2.0 V(Tv = 175°C)。 短路耐受能力8 μs。 宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。应用:工业电源。 太阳能

特性:1200V 150A。 VCE(sat)(typ.) = 2.5V。 平面栅场截止技术。 高 RBSOA 性能。 低关断损耗。应用:感应加热。 电焊机

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