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二极管 / 晶体管型号

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IGBT模块

Infineon(英飞凌)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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提供超快的开关速度和短路耐用性,专为电子焊机和感应加热等应用而设计。

Starpower(嘉兴斯达)螺栓安装
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:低VCE(sat)。 紧凑型封装。 PCB板安装模块。 转换器。 二极管桥。 动态制动电路。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器

FUJI(富士电机)插件,107.5x45mm
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Trench FS IGBTs 为通用逆变器和其他软开关应用提供更低的损耗和更高的能源效率,如电机驱动、交流和直流伺服驱动放大器、电源。

JIAENSEMI(佳恩半导体)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Littelfuse/IXYSSOT-227B
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Littelfuse/IXYSSOT-227B
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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MICROCHIP(美国微芯)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Littelfuse/IXYSTO-247AD
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:1200 V 沟槽和场截止技术。 低开关损耗。 正温度系数。 易于并联。 方形反向偏置安全工作区 (RBSOA)。 10 μs 短路能力。应用:电源转换:不间断电源 (UPS)、开关电源 (SMPS)、焊接、感应加热

VISHAY(威世)SOT-227
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT,650V,10A,263顶部散热,10-20kHz

HIMINGWAY(海明微)TSC-263-4L
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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吉林华微TO-263
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:极低的VCE(sat) 1.5V(典型值)。 最高结温175°C。 短路耐受时间5μs。 适用于特定频率和驱动器。 TRENCHSTOPTM技术用于600V应用,具有非常紧密的参数分布。 高耐用性,温度稳定性能。 非常高的开关速度。 低VCE(sat)。 VCE(sat)具有正温度系数。 低电磁干扰。 低栅极电荷。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 完整的产品系列和PSpice模型

Infineon(英飞凌)TO-251-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Trench IGBTs为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat):1.5V(典型值)。 最高结温:175°C。 短路耐受时间:3μs。 适用于650V应用的沟槽和场截止技术,具有非常紧密的参数分布。 高耐用性和温度稳定性。 低集电极-发射极饱和电压VCEsat和正温度系数。应用:驱动器-通用驱动器。 大型家用电器:空调等

Infineon(英飞凌)TO-220-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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采用新洁能(NCE)专有的沟槽设计和先进的第二代场截止(FS)技术,600V沟槽FSIII绝缘栅双极晶体管(IGBT)具备卓越的导通和开关性能,且易于并联运行。

NCE(无锡新洁能)TO-220
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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沟槽式IGBT为感应加热、UPS、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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光伏逆变 储能 UPS 电源

CRMICRO(华润微)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-3P
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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