JIAEN沟槽式IGBT为诸如感应加热(IH)、不间断电源(UPS)、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可即插即用替换上一代IGBT。 击穿电压650V。 低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175°C。应用:太阳能转换器。 不间断电源
Infineon(英飞凌)TO-247-3
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特性:1200V,50A(Tc = 100°C)VCE(sat)(typ.) = 1.55V 应用:UPS,逆变器,焊机
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-247
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Infineon(英飞凌)TO-252-3
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Littelfuse/IXYSTO-220-3
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FUJI(富士电机)TO-247
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特性:低集电极-发射极饱和电压。 高自钳位电感开关能量。 内置栅极-发射极保护二极管。 内置栅极-发射极电阻。 符合AEC-Q101标准。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。应用:点火线圈驱动电路。 螺线管驱动电路
ROHM(罗姆)TO-263
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FUJI(富士电机)TO-247
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ROHM(罗姆)TO-262
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NPT IGBTs 为诸如感应加热 (IH)、不间断电源 (UPS)、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-264
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特性:高速F5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 在升压转换器中与碳化硅肖特基二极管完美匹配。 最高结温175°C。 符合JEDEC目标应用标准。应用:太阳能转换器。 不间断电源
Infineon(英飞凌)TO-220-3
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ROHM(罗姆)TO-252
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FUJI(富士电机)TO-247
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ROHM(罗姆)TO-247G
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ROHM(罗姆)-
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HGTG10N120BN、HGTP10N120BN和HGT1S10N120BNS采用非穿通(NPT)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)设计。它们是MOS栅控高压开关IGBT系列的新成员
onsemi(安森美)TO-220AB
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:针对低传导损耗进行优化。 方形反向偏置安全工作区 (RBSOA)。 高电流处理能力。 国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源 (UPS)
Littelfuse/IXYSTO-263AA
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新一代IGBT在D2-Pak (TO-263)和TO-220塑料封装中提供出色的SCIS能力。这些器件适用于汽车点火电路,特别是作为线圈驱动器。内部二极管无需外部组件即可提供电压钳位。EcoSPARK器件可定制特定钳位电压。
onsemi(安森美)TO-220-3
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Trench IGBTs 可为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO264
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ROHM(罗姆)TO-263-3
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