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650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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特性:低功率损耗。 低开关浪涌和噪声。 高可靠性,高耐用性(RBSOA、SCSOA等)。应用:不间断电源。 光伏功率调节器

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特性:低集电极-发射极饱和电压。 短路耐受时间8μs。 符合AEC-Q101标准。 无铅镀铅;符合RoHS标准。应用:汽车加热器

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特性:极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat):1.5V(典型值)。 最高结温:175°C。 短路耐受时间:5μs。 专为变频器和不间断电源设计。 适用于600V应用的TRENCHSTOP和场截止技术,提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和温度稳定性。 -非常高的开关速度。 集电极-发射极饱和电压VCE(sat)具有正温度系数。 低电磁干扰。 低栅极电荷。 非常软且快速恢复的反并联发射极控制HE二极管。 符合JEDEC目标应用标准。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准

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特性:低集电极-发射极饱和电压。 高速开关和低开关损耗。 短路耐受时间2μs。 内置超快速软恢复FRD。 无铅镀铅;符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 UPS

特性:高速H5技术。 由于采用开尔文发射极引脚与TRENCHSTOPTM 5相结合,实现超低损耗开关。 在硬开关和谐振拓扑中具有同类最佳效率。 可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。应用:不间断电源。 焊接转换器

高速DuoPack封装:采用沟槽和场截止技术的IGBT,配备软恢复、快速恢复的反并联二极管,属于1200V高速开关系列第三代产品

特性:针对低频大电流开关进行优化。 高浪涌电流能力。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)

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特性:针对低传导损耗进行优化。 Vce(sat)具有正温度系数。 国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 UPS

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