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特性:针对低开关损耗进行优化。 方形反向偏置安全工作区。 高雪崩能力。 国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源

特性:高阻断电压。 国际标准封装。 反并联二极管。 低传导损耗。 低栅极驱动要求。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源 (UPS)

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特性:沟槽栅和薄晶圆技术(G8H系列)。 单封装内集成快速恢复二极管。 低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = 1.8V(典型值,IC = 40A,VGE = 15V,Ta = 25°C)。 质量等级:标准。 高速开关。 短路耐受时间:10μs(最小值)。应用:UPS。 焊接

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IGBT模块,1200V,600A

IGBT,650V,30A,263顶部散热,>40kHz

特性:650V, 15A。 VCE(sat)(typ) = 1.6V @ VGE = 15V, IC = 15A。 高坚固性性能。 10μs短路能力。 电机控制效率高。 并联运行时具有出色的均流能力。应用:家用电器。 电机驱动

Trench IGBTs 为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

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IGBT,650V,30A,263顶部散热,10-20kHz

JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

特性:650V,30A。 VCE(sat)(typ)= 1.7V @ VGE = 15V,IC = 30A。 高耐用性。 10μs短路能力。 电机控制效率高。 并联运行时均流性能出色。应用:家用电器。 电机驱动

IGBT单管N沟道,VCE=1200V,IC=40A,广泛应用于电源、电机驱动、光伏逆变等。

JIAEN沟槽式IGBT为诸如IH(感应加热)、UPS、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

Trench IGBTs 为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。