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NPT IGBT 为感应加热 (IH)、UPS、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

IGBT单管N沟道,VCE=1200V,IC=50A,广泛应用于电源、电机驱动、光伏逆变等。

沟槽式IGBT为UPS、感应转换器、不间断电源和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

IGBT单管N沟道,VCE=1200V,IC=50A,广泛应用于电源、电机驱动、光伏逆变等。

IGBT单管N沟道,VCE=1200V,IC=75A,广泛应用于电源、电机驱动、光伏逆变等。

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沟槽式IGBT为感应加热、UPS、交直流电机控制和通用逆变器等应用提供更低的损耗和更高的能源效率。

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采用TRENCHSTOPTM 5技术的低VCE(sat)绝缘栅双极型晶体管(IGBT),与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。

特性:低集电极-发射极饱和电压。 软开关。 无铅镀铅;符合RoHS标准。应用:部分开关PFC。 放电电路

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特性:高压BIMOSFETTM可替代高压MOSFET,电压降显著降低。MOSFET兼容控制,10V开启栅极电压。快速开关,适用于高频操作。反向导通能力。行业标准封装:TO-220AB、TO-247AD。环氧树脂符合UL94V-0。应用:开关电源。DC-DC转换器

特性:低集电极-发射极饱和电压。 高速开关。 低开关损耗和软开关。 内置超快软恢复 FRD。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。应用:PFC。 UPS

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特性:高阻断电压。 JEDEC TO-268表面和JEDEC TO-247 AD。 低传导损耗。 高电流处理能力。 MOS栅极导通,驱动简单。 模塑环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。应用:交流电机速度控制。 不间断电源(UPS)

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特性:低集电极-发射极饱和电压。 高速开关和低开关损耗。 短路耐受时间2μs。 内置超快软恢复FRD。 无铅镀铅;符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 UPS

特性:硅芯片采用直接铜键合(DCB)基板。UL认证封装。隔离安装表面。2500V电气隔离。雪崩额定。方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。应用:高频功率逆变器。不间断电源(UPS)

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