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SILAN(士兰微)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Trench FS IGBTs 为通用逆变器和其他软开关应用提供更低的损耗和更高的能源效率,如电机驱动、交流和直流伺服驱动放大器、电源。
JIAENSEMI(佳恩半导体)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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SILAN(士兰微)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT模块,1200V,450A
Bestirpower(萃锦半导体)螺栓安装
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT,650V,6A,263顶部散热,内置ESD保护,10-20kHz
HIMINGWAY(海明微)TSC-263-4L
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT,650V,10A,263顶部散热,内置ESD保护,10-20kHz
HIMINGWAY(海明微)TSC-263-4L
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT,650V,15A,263顶部散热,10-20kHz
HIMINGWAY(海明微)TSC-263-4L
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT,650V,15A,263顶部散热,10-20kHz
HIMINGWAY(海明微)TSC-263-4L
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT,650V,20A,263顶部散热,>40kHz
HIMINGWAY(海明微)TSC-263-4L
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:650V, 20A。 VCE(sat)(typ) = 1.6V @ VGE = 15V, IC = 20A。 高耐用性。 10μs短路能力。 电机控制效率高。 并联运行时均流性能出色。应用:家用电器。 电机驱动
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-220F
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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JIAEN沟槽IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-220
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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MLG20T65FUL采用先进的沟槽场截止(T-FS)技术制造,具有低VCE(sat)、优化的开关性能和低栅极电荷Qg等特性。该IGBT适用于无刷直流电机(BLDC)、不间断电源(UPS)以及低VCE(sat)应用场景。
minos(迈诺斯)TO-220
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT,1200V,15A,263顶部散热,10-20kHz
HIMINGWAY(海明微)TSC-263-4L
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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工规级 广泛应用于小电源电机驱动行业。
luxin-semi(上海陆芯)TO-220F
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT,1200V,15A,263顶部散热,10-20kHz
HIMINGWAY(海明微)TSC-263-4L
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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JIAEN Trench IGBTs 为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Trench IGBTs 为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-247
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IGBT单管650V,60A
Bestirpower(萃锦半导体)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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