IGBT单管650V,75A
Bestirpower(萃锦半导体)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:CoolWatt@ II Trench- FS技术。 低VcEsAT。 低开关损耗。 带有反并联快速恢复二极管。 正温度系数。 高可靠性。应用:逆变器电源。 工业焊接
ANHI(安海)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用
CRMICRO(华润微)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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FUJI(富士电机)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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FUJI(富士电机)TO-247-4-P2
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:1200V 50A。VCE(sat)(typ.) = 2.1V。沟槽栅场截止技术。高 RBSOA 性能。低关断损耗。应用:电焊机 / 电源。不间断电源 / 逆变器
JIAENSEMI(佳恩半导体)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Bestirpower(萃锦半导体)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:电气特性:扩展工作温度 T(vijop)。低开关损耗。高鲁棒性。V(CEsat) 具有正温度系数。低 V(CEsat)。 机械特性:4 kV AC 1 分钟绝缘。应用:高功率转换器。 电机驱动器
Infineon(英飞凌)螺栓安装
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:650V,15A(Tc = 100°C)VCE(sat)(typ.) = 1.6V 应用:变频,伺服
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-263
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT,650V,20A,263顶部散热,10-20kHz
HIMINGWAY(海明微)TSC-263-4L
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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JIAEN沟槽式IGBT可为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-220
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-220F
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:提供高达650V的高击穿电压。 低Vce饱和电压。 由于Vce饱和电压具有正温度系数,易于并联开关。 非常快速且软恢复的反并联二极管。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层。应用:UPS。 空调
JSMSEMI(杰盛微)TO-220F
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:1200V,15A(Tc = 100°C)VCE(sat)(typ.) = 1.9V 应用:变频器
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-220F
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-220F
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-220
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:650V,25A(Tc = 100°C)VCE(sat)(typ.) = 2.0V 应用:变频
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:650V,30A(Tc = 100°C)VCE(sat)(typ.) = 1.7V 应用:变频,伺服
JIAENSEMI(佳恩半导体)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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