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JIAEN沟槽IGBT降低了传导损耗,提高了开关性能,并增强了雪崩能量。用于电机驱动器、太阳能逆变器、谐振转换器和其他软开关应用。

JIAEN沟槽IGBT为不间断电源、电机驱动、功率因数校正、便携式电站和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

NPT IGBTs 为 IH(感应加热)、UPS、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

JIAEN沟槽式IGBT降低了传导损耗,提高了开关性能,并增强了雪崩能量。用于电机驱动、UPS、升压、便携式电站和其他软开关应用。

JIAEN沟槽式IGBT为不间断电源、感应转换器、不间断电源和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

沟槽式 IGBT 为诸如 UPS、感应转换器、不间断电源和其他软开关应用等提供了更低的损耗和更高的能源效率。

沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

650 V、50 A软开关沟槽栅场截止IH系列IGBT,TO-247长引线封装

JIAEN沟槽IGBT为UPS、电机驱动、PFC、移动电源站和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

650V/80A/-40~+175°C/TO-247/替代IKW75N65ES5

工规级 IGBT单管 N沟道,TO247,广泛应用于各类高频电源行业。

Trench IGBTs 为 UPS、电机驱动器、PFC、移动电源站和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

沟槽 IGBT 为 UPS、电机驱动器、PFC、便携式电站等软开关应用提供更低的损耗和更高的能源效率。

JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。

特性:1200V,75A(Tc = 100°C)VCE(sat)(typ.) = 1.7V 应用:变频,伺服

采用第二代IGBT技术,具有先进的沟槽和场截止(FS)结构,集电极-发射极饱和电压非常低,易于并联使用。

1200V/100A/-40~+175°C/TO-247PLUS/替代IKQ100N120CH7

特性:低开关损耗。 低VCE(sat)且具有正温度系数。 包含快速软恢复反并联FWD。 低电感外壳。 高短路能力(10us)。 最高结温175°C。应用:电机驱动器。 交流和直流伺服驱动放大器

特性:采用NPT技术的高速IGBT。 低开关损耗。 高短路能力(10μs)。 包含超快速软恢复反并联FWD。 低电感。 最高结温150°C。应用:高频驱动器。 太阳能逆变器