特性:高压封装。 高阻断电压。 高峰值电流能力。 低饱和电压。 低栅极驱动要求。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源 (UPS)
Clestek · 电子元器件型号库
海量元器件型号,
快速搜索匹配。
206307 个型号已录入产品库,支持按品类、品牌、封装和型号检索。
按器件类型快速筛选。
公开页面暂无产品说明。
公开页面暂无产品说明。
本产品为IGBT模块,具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces),适合高电压和较高电流环境下运行。在导通状态下,集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V,有助于降低功率损耗并提高系统效率。内置二极管可承受40A的正向电流(IF),其正向压降(Vf)为1.85V,可在高频开关和整流应用中提供稳定性能。该模块适用于需要高效能、高可靠性的电力电子设备设计,如智能电网、新能源变换装置及精密电机控制等领域。
Vce=600V,Ic=40A,Vce(sat)=2.1V
特性:VCE = 1200 V。 IC = 40 A。 IGBT与全电流、软恢复和低Qrr二极管共封装。 低饱和电压:在Tvj = 175°C时,VCE(sat) = 2.0 V。 针对硬开关拓扑进行了优化(2-L逆变器、3-L NPC T型等)。 短路耐受时间为8 μs。应用:工业驱动器。 工业电源
公开页面暂无产品说明。
公开页面暂无产品说明。
公开页面暂无产品说明。
IGBT功率模块具备超低导通损耗和出色的短路耐受能力。它们专为不间断电源(UPS)和开关电源(SMPS)等应用而设计。
特性:低开关损耗。 具有正温度系数的低VCE(sat)。 包含快速软恢复反并联FWD。 低电感外壳。 高短路能力(10us)。 最高结温175°C。应用:电机驱动器。 交流和直流伺服驱动放大器
公开页面暂无产品说明。
公开页面暂无产品说明。
MG75P12E2-A1-0000
特性:电气特性:扩展工作温度 T(v_ijop)。低 V(CEsat)。高鲁棒性。V(CEsat) 具有正温度系数。 机械特性:4 kV 交流 1 分钟绝缘。CTI > 400 的封装。应用:典型应用:高性能变频器。电机驱动
特性:非常高的峰值电流能力。 低饱和电压。 MOS栅极导通。 坚固的NPT结构。 模塑环氧树脂符合UL 94V-0阻燃等级。 易于安装。应用:电容放电。 脉冲电路
特性:电气特性: -集电极-发射极电压(VCES):1200V。 -额定集电极电流(ICnom):300A;重复峰值集电极电流(ICRM):600A。 -低集电极-发射极饱和电压(VCE,sat)。 -可在高达175°C的温度下进行过载运行。 -采用TRENCHSTOP IGBT7技术。 机械特性: -高功率和热循环能力。应用:辅助逆变器。 电机驱动器
公开页面暂无产品说明。
光伏逆变 储能 UPS 电源
公开页面暂无产品说明。
把参数交给工程师。
我们可以协助查找停产料替代方案,也可以按功能参数反向选型。