应用 不间断电源 逆变器 焊接转换器 PFC应用 转换器与高转换频率
SPTECH(深圳质超)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为低导通和开关损耗至关重要的消费品设备、运动控制和家用电器等应用提供最佳性能。
onsemi(安森美)TO-3PF-3
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特性:高栅极电荷。 沟槽FS技术。 低饱和电压:VCE(sat) = 1.5V @ IC + 30 A。 符合RoHS标准。应用:通用逆变器。 UPS
MASPOWER(麦思浦)TO-3PN
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650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
ST(意法半导体)TO-3P
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600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT
ST(意法半导体)D2PAK
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沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、30 A,低损耗
ST(意法半导体)TO-220FP
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采用NCE专有的沟槽设计和先进的FS(场截止)第二代技术,1200V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能,且易于并联运行。
NCE(无锡新洁能)TO-247P
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Littelfuse/IXYS-
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特性:硅芯片采用直接铜键合(DCB)基板。 隔离安装表面。 3000V电气隔离。 高阻断电压。 国际标准封装。 低传导损耗。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源(UPS)
Littelfuse/IXYSISOPLUSi4-PAK
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Infineon(英飞凌)-
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NCE(无锡新洁能)TO-220F-3
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Slkor(萨科微)TO-220F
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采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS(场截止)技术,600V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能,且易于并联运行。
NCE(无锡新洁能)TO-220F
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特性:低栅极电荷。 沟槽FS技术。 符合RoHS标准的产品。应用:通用逆变器。 感应加热(IH)
Slkor(萨科微)TO-247
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NCE(无锡新洁能)TO-220
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NCE(无锡新洁能)TO-3P-3
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沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、10 A,低损耗
ST(意法半导体)D2PAK
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特性:低栅极电荷。 FS技术。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 2.2V @ IC = 15A 和 TC = 25°C。 符合RoHS标准的产品。应用:通用逆变器。 感应加热(IH)
Slkor(萨科微)TO-247
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600 V、10 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT
ST(意法半导体)TO-220FP
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UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用 PB档
CRMICRO(华润微)TO-247
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