N沟道,Vces=600V,Ic=9A
Infineon(英飞凌)TO-220AB
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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IGBT;TO220F;600/650V;10A;VCEsat_1.7V@VGE=15V;
VBsemi(微碧半导体)TO-220F
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):64A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ
MP(美禄科技)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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采用基于专利条形布局的最新高压技术,推出了具有卓越性能的先进 IGBT 系列——PowerMESHTM IGBT。后缀 “H” 表示该系列针对高频应用进行了优化,以便在保持低电压降的同时实现极高的开关性能(缩短下降时间 tfall)。
ST(意法半导体)DPAK
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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VBsemi(微碧半导体)TO-220
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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这款绝缘栅双极型晶体管(IGBT)采用先进的Power MESHTM工艺,在低频工作条件(高达1 kHz)下具有极低的导通压降。
ST(意法半导体)TO-220FP
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SILAN(士兰微)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Slkor(萨科微)TO-247-3
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Infineon(英飞凌)TO-220
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台积电流片,长电科技封装;IGBT+FRD配置;TO220;600/650(V);ICE (A):20AVCEsat (V)typ:1.7V@ VGE=15V;VGE(±V):±20V;VGEth(V):5V;采用SJ技术;
VBsemi(微碧半导体)TO-220AB
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT
ST(意法半导体)TO-247AC-3
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特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175°C。应用:太阳能转换器。不间断电源
Infineon(英飞凌)TO-220-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat):1.5V(典型值)。最高结温:175°C。短路耐受时间:5μs。适用于变频器、不间断电源。TRENCHSTOPTM和场截止技术用于600V应用,提供:非常紧密的参数分布。高鲁棒性,温度稳定性能。应用:变频器。不间断电源
Infineon(英飞凌)TO-220-3
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VBsemi(微碧半导体)TO-247
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Infineon(英飞凌)TO-220AB
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Infineon(英飞凌)TO-247AC-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:高速F5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 与升压转换器中的碳化硅肖特基二极管完美匹配。 最高结温175°C。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。应用:太阳能转换器。 不间断电源
Infineon(英飞凌)TO-247-3
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N沟道,Vce=600V,Ic=49A,Vce(on)=1.50V
Infineon(英飞凌)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:优化低传导损耗。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 高电流处理能力。 国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)
Littelfuse/IXYSTO-220
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