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该IGBT采用先进的PowerMESHTM工艺,在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。

1200 V、25 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

这款绝缘栅双极型晶体管(IGBT)采用了先进的Power MESHTM工艺,从而在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。

高速DuoPack:采用沟槽和场截止技术的IGBT,具有软恢复、快速恢复的反并联二极管

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使用新型场截止第7代IGBT技术和Gen7二极管,采用TO247-3引脚封装,可在太阳能、UPS和ESS等各种应用中实现高效运行,具有低开关和传导损耗的最佳性能。

特性:最大结温:T_J = 175°C。 正温度系数,便于并联操作。 高电流能力。 低饱和电压:V_CE(sat) = 1.45 V(典型值),@ I_C = 75 A。 100% 的部件经过 I_LM 测试。 平滑且优化的开关性能。应用:太阳能逆变器。 UPS、ESS

安森美半导体的新型场截止第 4 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 应用等提供绝佳性能,低导通和开关损耗在这些应用中至关重要。

此绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的场截止 II 沟槽结构,在要求较高的开关应用中提供卓越的性能,还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个柔性和快速的共封装续流二极管,带有较低正向电压。

此款绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 II 沟槽结构,为要求苛刻的开关应用提供出色性能,提供低导通状态电压,并最大限度降低开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的组合封装续流二极管,带有低正向电压。

特性:VCE = 1200 V。 IC = 40 A。 IGBT 与全电流、软恢复和低 Qrr 二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 2.0 V(TVj = 175°C 时)。 针对硬开关拓扑进行优化(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)。 短路耐受时间为 8 μs。应用:工业驱动器。 工业电源

此款绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 (FS) 沟槽结构,为要求苛刻的开关应用提供出色性能,提供低导通状态电压,并最大限度降低开关损耗。

安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

公开页面暂无产品说明。

特性:VCE = 650 V。 IC = 120 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业不间断电源。 电动汽车充电

特性:VCE = 1200 V,IC = 75 A,IGBT与全电流、软恢复且低Qrr的二极管共封装。 低饱和电压:在Tvj = 175°C时,VCEsat = 2.0 V。 针对硬开关拓扑进行优化(如2-L逆变器、3-L NPC T型等)。 短路耐受时间为8 μs。 具备宽范围的dv/dt可控性。 完整的产品系列和PSpice模型。应用:工业驱动器。 工业电源

安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

特性:高速H3技术提供: 由于采用开尔文发射极引脚封装并结合高速H3技术,具有超低开关损耗。 在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。 在Tvj = 175°C时,短路耐受时间为10μs。 由于VCE(sat)具有正温度系数,易于并联。 低电磁干扰。 低栅极电荷QG。应用:工业不间断电源。 充电器

特性:VCE = 750V。 IC = 200A。 最佳的高功率密度。应用:xEV逆变器