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Infineon(英飞凌)-
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Clestek · 电子元器件型号库
206307 个型号已录入产品库,支持按品类、品牌、封装和型号检索。
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沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、10 A,低损耗
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IGBT 650V 15A TO-220F
采用 TO-220 封装的沟槽栅极场截止 650 V、20 A 高速 HB2 系列 IGBT
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特性:TRENCHSTOP反向导通(RC)技术,适用于600V应用。 非常紧密的参数分布。 工作范围高达20kHz。 最高结温175°C。 3μs短路能力。 防潮设计。应用:主要家用电器。 空调
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1250 V、20 A IH系列沟槽栅场截止IGBT
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沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、10 A,低损耗
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采用基于专利条形布局的最新高压技术,PowerMESH IGBT 是先进的 IGBT 系列,具有卓越的性能。后缀 “H” 表示该系列针对高频应用进行了优化,在保持低电压降的同时,实现了非常高的开关性能(缩短了下降时间 tfall)。
我们可以协助查找停产料替代方案,也可以按功能参数反向选型。