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ST(意法半导体)TO-220F-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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NCE(无锡新洁能)TO-3P-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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NCE(无锡新洁能)TO-3P-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)TO-252-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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NCE(无锡新洁能)TO-3PF
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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NCE(无锡新洁能)TO-3P-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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NCE(无锡新洁能)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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DGTD65T15H2TF采用先进的场截止沟槽绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术制造,具备高性能、卓越品质和高耐用性。
DIODES(美台)ITO-220AB-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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NCE(无锡新洁能)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:低栅极电荷。 沟槽FS技术。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 1.6V @ IC = 50A 和 TC = 25°C。应用:通用逆变器。 UPS
MASPOWER(麦思浦)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:低集电极-发射极饱和电压。 低开关损耗。 短路耐受时间5μs。 内置超快软恢复FRD(RFN系列)。 无铅镀铅;符合RoHS标准。应用:通用逆变器。 UPS
ROHM(罗姆)TO-263-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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650 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
ST(意法半导体)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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ROHM(罗姆)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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NCE(无锡新洁能)TO-3P-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、20 A,低损耗
ST(意法半导体)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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NCE(无锡新洁能)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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NCE(无锡新洁能)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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NCE(无锡新洁能)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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ROHM(罗姆)TO-263-2
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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特性:高电流能力。 低饱和电压:VCE(sat) = 1.55 V @ IC = 50 A。 高输入阻抗。 符合RoHS标准。应用:PDP TV
MASPOWER(麦思浦)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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