公开页面暂无产品说明。
Clestek · 电子元器件型号库
海量元器件型号,
快速搜索匹配。
206307 个型号已录入产品库,支持按品类、品牌、封装和型号检索。
按器件类型快速筛选。
公开页面暂无产品说明。
IGBT单管,1200V,75A
公开页面暂无产品说明。
采用节省空间封装的集成二极管绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
公开页面暂无产品说明。
特性:针对低频大电流开关进行优化。 高浪涌电流能力。 方形反向偏置安全工作区。 国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)
特性:低栅极电荷。 FS技术。 饱和电压:VCE(sat),典型值 = 1.45V。应用:通用逆变器。 感应加热(IH)
公开页面暂无产品说明。
应用程序,变频器 ,电机驱动器
公开页面暂无产品说明。
600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT
特性:针对低开关损耗进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 Vce(sat)具有正温度系数。 反并联超快速二极管。 雪崩额定。 高电流处理能力。应用:高频功率逆变器。 不间断电源(UPS)
特性:集电极-发射极电压(VCES):1200V。 连续集电极直流电流(ICDC):150A。 集电极重复峰值电流(ICRM):300A。 沟槽栅IGBT7。 过载操作达175°C。 低集电极-发射极饱和电压(VCE sat)。应用:辅助逆变器。 电机传动
特性:集电极-发射极电压(VCES):1200V。 连续直流集电极电流(ICDC):200A。 重复峰值集电极电流(ICRM):400A。 低集电极-发射极饱和电压(VCE sat)。 过载运行温度可达175°C。 集成NTC温度传感器。应用:电机驱动器。 辅助逆变器
IGBT模块
公开页面暂无产品说明。
公开页面暂无产品说明。
公开页面暂无产品说明。
公开页面暂无产品说明。
把参数交给工程师。
我们可以协助查找停产料替代方案,也可以按功能参数反向选型。