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onsemi(安森美)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)TO-263AB
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)TO-247-3
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onsemi(安森美)SMD
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安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,提供了卓越导通和开关性能,以及简便的并行运行。该器件非常适合谐振或软开关应用,比如电感加热和微波炉。
onsemi(安森美)TO-247-3
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Infineon(英飞凌)TO-247-3
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Infineon(英飞凌)TO-247-3
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采用 D2PAK 封装的沟槽栅极场截止、650 V、50 A、高速 HB2 系列 IGBT
ST(意法半导体)D2PAK
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600 V、15 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT
ST(意法半导体)TO-220-3
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Infineon(英飞凌)TO-247-3
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特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。 低QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175°C。应用:太阳能转换器。 不间断电源
Infineon(英飞凌)TO-220FP-3
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基于新的先进平面技术概念,可生产出一种绝缘栅双极晶体管(IGBT),该晶体管在不同温度下具有更稳定的开关性能(关断能量 Eoff),同时具有较低的传导损耗。
ST(意法半导体)TO-220
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安森美半导体的新型场截止第 4 代 RC IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为消费和工业应用的 PFC 转换器提供最佳性能。
onsemi(安森美)TO-3PF-3
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ST(意法半导体)D2PAK(TO-263)
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ST(意法半导体)D2PAK
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ST(意法半导体)TO-252-2(DPAK)
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Infineon(英飞凌)TO-252-3
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这些器件是超快绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。它们采用了先进的Power MESHTM工艺,从而在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。
ST(意法半导体)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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