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ST(意法半导体)D2PAK
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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ISL9V5036S3S、ISL9V5036P3 和 ISL9V5036S3 是下一代 IGBT,提供卓越的 SCIS 能力,采用 D-Pak (TO-263) 和 TO-220 塑料封装。此类器件适用于汽车点火电路,尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位,而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息,请联系最近的安森美半导体销售办公室。之前开发类型为 49443。
onsemi(安森美)TO-263AB
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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onsemi(安森美)TO-220
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Infineon(英飞凌)TO-252-3
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沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、20 A,低损耗
ST(意法半导体)TO-220F-3
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Infineon(英飞凌)TO-263-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)TO-252-3
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安森美半导体的 IGBT 具有低导通和开关损耗。UF 系列设计适用于必须具备高速开关功能的应用,例如通用逆变器和 PFC。
onsemi(安森美)TO-3PF-3
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onsemi(安森美)TO-247-3
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ST(意法半导体)TO-220
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Infineon(英飞凌)TO-220-3
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onsemi(安森美)TO-247-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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此款绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的场截止 II 沟槽结构,在要求较高的开关应用中提供卓越的性能,还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。
onsemi(安森美)SMD
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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Infineon(英飞凌)TO-247-3
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Littelfuse/IXYSTO-247(IXYH)
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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onsemi(安森美)TO-247-3
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600 V、7 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT
ST(意法半导体)TO-220F-3
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650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
ST(意法半导体)TO-247
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onsemi(安森美)TO-3P-3
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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1250 V、20 A IH系列沟槽栅场截止IGBT
ST(意法半导体)TO-247
二极管 / 晶体管IGBT管 / 模块
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